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MOSFET SOT-2319 de mejora de canal P SL23A
● Tecnología MOSFET LV de Trench Power
● Diseño de celda de alta densidad para Low RDS (ON)
● Conmutación de alta velocidad
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general del producto
El SL2319A es un MOSFET de canal P de baja tensión. Presenta una tensión drenador-fuente de 40 V, una corriente de drenador continua de 4.4 A y una disipación de potencia de 1.5 W, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de baja tensión. Su resistencia en estado activo es de 90 mΩ a 10 V y 2 A, y la tensión umbral de puerta es de 2.5 V a 250 µA. Este MOSFET, alojado en un encapsulado SOT-23, tiene un tamaño compacto y es ideal para diseños de PCB compactos.
Especificaciones del producto
- Tipo: Canal P - Tensión drenador-fuente (Vdss): 40 V - Corriente de drenador continua (Id): 4.4 A - Disipación de potencia (Pd): 1.5 W - Resistencia en estado activo (RDS(on) a Vgs, Id): 90 mΩ a 10 V, 2 A - Tensión umbral de puerta (Vgs(th) a Id): 2.5 V a 250 µA - Encapsulado: SOT-23
Aplicaciones
- Administración de energía
- Protección de la batería
- Conmutación de bajo voltaje
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
2SK3018 MOSFET de alimentación de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de mejora de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET de alimentación de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRF9317TR MOSFET SOP-8 de mejora de canal P
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de alimentación de canal P SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de alimentación de canal P SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4407 de alimentación de canal P SL8A
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 11mΩ@20V,12A VTH： 1.2V@250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4435 de alimentación de canal P SL8A
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -10A RDSON(Ω)： 15mΩ@-10V,-10A VTH： -1.5V@-250uA P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4449 de alimentación de canal P SL8A
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -7A RDSON(Ω)： 28mΩ@-10V,-7A VTH： -1.8V@-250uA P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4813 de alimentación de canal P SL8A
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 7.1A RDSON(Ω)： 20mΩ@10V,7A VTH： 25V@250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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