सेवा हॉटलाइन
● ट्रेंच पावर LV MOSFET तकनीक
● कम RDS(ON) के लिए उच्च घनत्व सेल डिजाइन
● हाई स्पीड स्विचिंग
चीनी विनिर्माण प्रक्रियाओं में वर्षों से पुनरावृत्ति हुई है, जिसके परिणामस्वरूप परिपक्व और विश्वसनीय प्रौद्योगिकियां सामने आई हैं। कई अंतरराष्ट्रीय निगम चीन में उत्पादन आउटसोर्सिंग का विकल्प चुनते हैं। चीन में एक इलेक्ट्रॉनिक घटक निर्माता के रूप में, हमारे उत्पाद परीक्षण सत्यापन की आवश्यकता के बिना 99% अनुप्रयोगों में प्रमुख अंतरराष्ट्रीय ब्रांडों की जगह ले सकते हैं। हमारे उत्पाद गुणवत्ता, उचित मूल्य निर्धारण, पर्याप्त इन्वेंट्री, लचीली आपूर्ति, कम लीड समय और पेशेवर बिक्री के बाद सेवा में उच्च स्थिरता का दावा करते हैं।
SL2319A एक P-चैनल लो-वोल्टेज MOSFET है। इसका ड्रेन-सोर्स वोल्टेज 40 V, निरंतर ड्रेन करंट 4.4 A और पावर खपत 1.5 W है, जो इसे लो-वोल्टेज स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। इसका ऑन-स्टेट प्रतिरोध 90 mΩ @ 10 V, 2 A है और गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज 2.5 V @ 250 µA है। SOT-23 पैकेज में निर्मित, यह MOSFET कॉम्पैक्ट आकार का है और कॉम्पैक्ट PCB डिज़ाइन के लिए आदर्श है।
- प्रकार: पी-चैनल - ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40 V - निरंतर ड्रेन करंट (Id): 4.4 A - पावर खपत (Pd): 1.5 W - ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDS(on) @ Vgs, Id): 90 mΩ @ 10 V, 2 A - गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vgs(th) @ Id): 2.5 V @ 250 µA - पैकेज: SOT-23
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