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MOSFET di potenziamento del canale P SL2319A SOT-23
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design delle celle ad alta densità per RDS basso (ON)
● Commutazione ad alta velocità
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Presentazione prodotto
L'SL2319A è un MOSFET a canale P a bassa tensione. Presenta una tensione drain-source di 40 V, una corrente di drain continua di 4.4 A e una dissipazione di potenza di 1.5 W, caratteristiche che lo rendono adatto per applicazioni di commutazione a bassa tensione. La sua resistenza di conduzione è di 90 mΩ a 10 V e 2 A, mentre la tensione di soglia del gate è di 2.5 V a 250 µA. Alloggiato in un package SOT-23, questo MOSFET ha un ingombro ridotto ed è ideale per progetti di PCB compatti.
specifiche del prodotto
- Tipo: Canale P - Tensione drain-source (Vdss): 40 V - Corrente di drain continua (Id): 4.4 A - Dissipazione di potenza (Pd): 1.5 W - Resistenza allo stato attivo (RDS(on) @ Vgs, Id): 90 mΩ @ 10 V, 2 A - Tensione di soglia del gate (Vgs(th) @ Id): 2.5 V @ 250 µA - Contenitore: SOT-23
Applicazioni
- Power Management
- Protezione batteria
- Commutazione a bassa tensione
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A
Brand: slkor， Package： SOT-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 6A RDSON(Ω)： 19mΩ@10V,5.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N+P-Channel
MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4
Brand: slkor， Package： TO-252-4 VDSS(V)： 40V Id(A)： 1μA VTH： 1.5V P/N： N-Channel and P-Channel
MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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