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2N7002KDW MOSFET di potenza a canale N SOT-363
● L'epossidico soddisfa la classificazione di infiammabilità UL 94 V-0
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)
● Piccolo interruttore di segnale controllato in tensione
I nostri vantaggi:
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
Il 2N7002KDW è un MOSFET a canale N ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione e corrente moderata in cui sono essenziali una gestione efficiente della potenza e un design compatto. Questo MOSFET è adatto per l'uso in vari circuiti elettronici che richiedono capacità di commutazione e regolazione affidabili.
Caratteristiche:
● L'epossidico soddisfa la classificazione di infiammabilità UL 94 V-0
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)
● Interruttore di piccolo segnale controllato in tensione
● Elevata capacità di corrente di saturazione
● Protezione ESD
applicazioni:
● Sistemi di gestione della batteria: utilizzati per la commutazione e la protezione dell'alimentazione nei dispositivi elettronici portatili.
● Circuiti driver LED: consentono un controllo efficiente della corrente LED nelle applicazioni di illuminazione.
● Convertitori DC-DC: facilitano la regolazione della tensione e la conversione di potenza in vari dispositivi elettronici.
● Commutazione del carico: adatto per la commutazione di carichi negli alimentatori e nei circuiti di controllo del motore.
● Commutazione del segnale: utilizzato in applicazioni di commutazione del segnale analogico e digitale a causa della bassa resistenza.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2N7002 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET di potenza a canale N TO-523
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T MOSFET di potenza a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
IRF640 Alimentazione a canale N TO-220
Brand: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET di potenza a canale N SOP-8
Brand: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
IRFR5305 MOSFET di potenza a canale P in contenitore TO-252
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
MMBF170L MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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