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2N7002KDW MOSFET de potencia de canal N SOT-363
● El epoxi cumple con la clasificación de inflamabilidad UL 94 V-0
● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
● Pequeño interruptor de señal controlado por voltaje
Nuestras ventajas:
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción:
El 2N7002KDW es un MOSFET de canal N de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de corriente moderada y bajo voltaje donde la administración eficiente de la energía y el diseño compacto son esenciales. Este MOSFET es ideal para su uso en diversos circuitos electrónicos que requieren capacidades de regulación y conmutación confiables.
Características:
● El epoxi cumple con la clasificación de inflamabilidad UL 94 V-0
● Diseño de celdas de alta densidad para un bajo RDS(ON)
● Interruptor de pequeña señal controlado por voltaje
● Alta capacidad de corriente de saturación
● Protección ESD
Aplicaciones:
● Sistemas de gestión de baterías: se utilizan para conmutación de energía y protección en dispositivos electrónicos portátiles.
● Circuitos de controlador de LED: permite un control eficiente de la corriente de LED en aplicaciones de iluminación.
● Convertidores DC-DC: Facilita la regulación de voltaje y conversión de energía en diversos dispositivos electrónicos.
● Conmutación de carga: Adecuado para conmutar cargas en fuentes de alimentación y circuitos de control de motores.
● Conmutación de señal: Se utiliza en aplicaciones de conmutación de señales analógicas y digitales debido a su baja resistencia.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002KT MOSFET de potencia de canal N TO-523
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002T MOSFET de alimentación de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
BSS123 MOSFET de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
BSS138 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 220mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,220mA VTH： 1.6V@1mA P/N： N-Channel
BSS169 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 234mΩ@10V,1.5A VTH： 2.8V@250uA P/N： N-channel
IRF640, canal N, alimentación, encapsulado TO-220
Marcas: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET de potencia de canal N SOP-8
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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