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MMDT4413 Transistor bipolare NPN+PNP SOT-363
Il transistor digitale MMDT4413 NPN+PNP presenta una tensione massima collettore-emettitore (Vceo) di 40 V, rendendolo adatto a varie applicazioni a bassa e moderata tensione. Con una corrente di collettore (Ic) nominale di 200 mA e una capacità di dissipazione di potenza (Pd) di 0.2 W, questo transistor assicura un funzionamento efficiente e una gestione termica. È inoltre progettato per resistere a temperature estreme, con un intervallo di temperatura di lavoro da -55 °C a 150 °C.
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
Il transistor digitale MMDT4413 NPN+PNP presenta una tensione collettore-emettitore massima (Vceo ) di 40 V, che lo rende adatto a diverse applicazioni a bassa e media tensione. Con una corrente di collettore (Ic ) nominale di 200 mA e una capacità di dissipazione di potenza (Pd ) di 0.2 W, questo transistor garantisce un funzionamento efficiente e una gestione termica ottimale. È inoltre progettato per resistere a temperature estreme, con un intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a 150 °C.
CARATTERISTICHE
● Coppia complementare
● Un NPN di tipo 4401
● Un PNP di tipo 4403
● Costruzione di stampi planari epitassiali
● Ideale per amplificazione e commutazione a bassa potenza
Applicazione:
Il transistor digitale MMDT4413 NPN+PNP è perfettamente adatto a una varietà di applicazioni elettroniche, tra cui:
● Circuiti di commutazione: ideali per applicazioni di commutazione a bassa e media potenza grazie alle loro efficienti caratteristiche di commutazione e alla bassa tensione di saturazione.
● Amplificazione: Adatto per circuiti di amplificazione ad alta frequenza, sfruttando la sua elevata frequenza di transizione per prestazioni affidabili.
● Elaborazione del segnale: Efficace nelle applicazioni di elaborazione del segnale in cui sono cruciali il funzionamento ad alta velocità e le prestazioni stabili.
● Gestione dell'alimentazione: affidabile per sistemi di gestione dell'alimentazione che richiedono un controllo preciso e la gestione di livelli di corrente moderati.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor，
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor，
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 150mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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