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MMDT4413 Transistor Bipolar NPN+PNP SOT-363
O Transistor Digital MMDT4413 NPN+PNP apresenta uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo) de 40 V, tornando-o adequado para várias aplicações de baixa a moderada tensão. Com uma classificação de corrente de coletor (Ic) de 200 mA e uma capacidade de dissipação de energia (Pd) de 0.2 W, este transistor garante uma operação eficiente e gerenciamento térmico. Ele também é projetado para suportar temperaturas extremas, com uma faixa de temperatura de trabalho de -55 °C a 150 °C.
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição:
O transistor digital NPN+PNP MMDT4413 apresenta uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo ) de 40V, tornando-o adequado para diversas aplicações de baixa a moderada tensão. Com uma corrente de coletor (Ic ) de 200mA e uma capacidade de dissipação de potência (Pd ) de 0.2W, este transistor garante operação eficiente e gerenciamento térmico adequado. Ele também foi projetado para suportar temperaturas extremas, com uma faixa de temperatura de trabalho de -55°C a 150°C.
CARATERÍSTICAS
● Par Complementar
● Um NPN do tipo 4401
● Um PNP do tipo 4403
● Construção de matriz planar epitaxial
● Ideal para amplificação e comutação de baixa potência
Aplicação:
O transistor digital NPN+PNP MMDT4413 é perfeitamente adequado para uma variedade de aplicações eletrônicas, incluindo:
● Circuitos de comutação: Ideais para aplicações de comutação de baixa a moderada potência devido às suas características de comutação eficientes e baixa tensão de saturação.
● Amplificação: Adequado para circuitos de amplificação de alta frequência, aproveitando sua alta frequência de transição para um desempenho confiável.
● Processamento de sinais: Eficaz em aplicações de processamento de sinais onde a operação em alta velocidade e o desempenho estável são cruciais.
● Gerenciamento de energia: Confiável para sistemas de gerenciamento de energia que exigem controle preciso e manuseio de níveis de corrente moderados.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
13001 Transistor Bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SA1037-R PNP Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SA1661-Y PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1188-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1260-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1386-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1424-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 240MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC1623 NPN Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SC2873 NPN Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 2A
2SC3357 RF
Marcas: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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