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MMDT4413 NPN+PNP Bipolartransistor SOT-363
Der digitale NPN+PNP-Transistor MMDT4413 verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 40 V und ist daher für verschiedene Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung geeignet. Mit einem Kollektorstrom (Ic) von 200 mA und einer Verlustleistung (Pd) von 0.2 W gewährleistet dieser Transistor einen effizienten Betrieb und ein effizientes Wärmemanagement. Er ist außerdem für extreme Temperaturen ausgelegt und verfügt über einen Arbeitstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der digitale NPN+PNP-Transistor MMDT4413 zeichnet sich durch eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V <sub>CEO</sub> ) von 40 V aus und eignet sich daher für diverse Anwendungen im niedrigen bis mittleren Spannungsbereich. Mit einem Kollektorstrom (I<sub> C </sub>) von 200 mA und einer Verlustleistung (P <sub>D</sub> ) von 0.2 W gewährleistet dieser Transistor einen effizienten Betrieb und ein optimales Wärmemanagement. Er ist zudem für extreme Temperaturen ausgelegt und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.
Funktionen
● Komplementäres Paar
● Ein NPN-Stecker vom Typ 4401
● Ein PNP vom Typ 4403
● Epitaxiale planare Chipkonstruktion
● Ideal für Verstärkung und Schaltung mit geringer Leistung
Anwendung:
Der digitale NPN+PNP-Transistor MMDT4413 eignet sich hervorragend für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen, darunter:
● Schaltkreise: Ideal für Schaltanwendungen mit niedriger bis mittlerer Leistung aufgrund seiner effizienten Schaltcharakteristik und niedrigen Sättigungsspannung.
● Verstärkung: Geeignet für Hochfrequenz-Verstärkungsschaltungen, da es seine hohe Übergangsfrequenz für eine zuverlässige Leistung nutzt.
● Signalverarbeitung: Wirksam in Signalverarbeitungsanwendungen, bei denen hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit und stabile Leistung entscheidend sind.
● Energiemanagement: Zuverlässig für Energiemanagementsysteme, die eine präzise Steuerung und Handhabung moderater Stromstärken erfordern.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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