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Driver di gate SL21814 lCs SOP-14
VDD(V): 10V
IO(A): 2.4A
IDDq(A): 30μA
TA(℃): 125℃
Pacchetto: SOT-23-6
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione
SL21814 è un driver MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita indipendenti con riferimento lato alto e lato basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immuni ai latch consentono una costruzione monolitica rinforzata. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3.3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer ad alta corrente di impulso progettato per una conduzione incrociata del driver minima. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso in applicazioni ad alta frequenza. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET o IGBT di potenza a canale N nella configurazione lato alto che funziona fino a 600 V.
Caratteristiche
● Canale flottante progettato per il funzionamento bootstrap
● Completamente funzionante fino a +600 V
● Funzionamento a bassa VCC
● Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
● Gamma di alimentazione per il comando del cancello da 10 V a 20 V
● Blocco per sottotensione per entrambi i canali
● Compatibile con logica a 3.3 V e 5 V
● Ingressi CMOS attivati da Schmitt con pull-down
● Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
● Uscite in fase con gli ingressi
● Conforme alla direttiva RoHS
● Pacchetto SOP14
Applicazione
● Alimentatori switching
● Convertitori da CC a CC
● Controllo del motore, energia solare
● Pilotaggio del gate per dispositivi di potenza emergenti a banda proibita ampia come il GaN
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
Circuiti integrati driver di gate SL27714 SOP-14
Brand: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 3.5A IDDq(mA)： 65μA TA(℃）： -40℃~125℃ Package： SOP-14
Driver di gate SL2004 lCs SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 270mA IDDq(mA)： 60μA TA(℃）： -40~125℃ Package： SOP-8
Driver di gate SL27531 lCs SOT-23-6
Brand: slkor， VDD(V)： 4.5V IO(A)： 5A IDDq(mA)： 50μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-6
Driver di gate SL27624MS lCs SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 4.5V IO(A)： 3.6mV IDDq(mA)： 810μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
Driver di gate lato basso a canale singolo SL27511A Driver di gate lC SOT-23-6
Brand: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 190μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-6L
SL27517A Driver di gate a canale singolo Driver di gate lC SOT-23-5
Brand: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 183μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-5L
SL27523 Gate Driver lC SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27524 Gate Driver lC SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27525 Gate Driver lC SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL4427 Dual Low Side Driver Gate Driver lC SOP-8
Brand: slkor， VDD(V)： 25V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 0.75mA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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