高周波三極管は一般に、VHF、UHF、CATV、ワイヤレスリモコン、無線周波数モジュールなどの高周波広帯域低ノイズアンプで使用されます。これらのアプリケーションのほとんどは、低電圧、小信号、小電流、低ノイズの条件で使用されます。ワット、コレクタ電流は最大 500 mA。

使用プロセスにおける選択原則は次のとおりです。

(1) 三極管の周囲温度が 30℃を超える場合は、許容損失 Pcm を 60 ～ 80% 下げる必要があります。

(2) 三極管が安定して正常に動作できるように、三極管は発熱体からできるだけ離してください。

(3) 三極管のパラメータの中には、iceo、ubeo、β 値など、温度の影響を受けやすいパラメータがあります。 iceo と ubeo が温度によって変化するのは次のとおりです。

①温度が6℃上昇するごとに、シリコンチューブの氷の量はXNUMX倍になります。

②温度が10℃上がるごとにゲルマニウム管の氷の量はXNUMX倍になります。

③シリコンチューブウベオの温度変化は約1・7mv/℃です。

(4) 3V や 5V の低電圧で使用する場合、耐圧が大きくなりすぎないようにしてください。耐圧が大きすぎる（15V以上）と、低電圧での直線性が悪くなりますが、使用に影響します。

(5) 入力信号が弱い場合、プライマリアンプには挿入ゲインの小さい 2SC3356 を、セカンダリアンプにはゲインの大きい BFQ591 または 2SC3357 を使用することをお勧めします。

(6) 使用時の挿入ノイズを低減し利得を高めるために、高周波三極管の特性周波数 fT は実際の使用周波数の 3 ～ XNUMX 倍（少なくとも XNUMX 倍以上）のものを選定してください。

(7) 高周波回路やマイクロ波回路で使用される三極管の場合、寄生効果を低減するためにリード線をできるだけ短くし、表面実装パッケージを使用するのが最適です。

(9) パワートランジスタの二次破壊を防止するため、過剰なリアクタンス成分を含む負荷は極力避けてください。

(10) 機械全体が要求する増幅パラメータを満たすことを前提として、適切な挿入ゲインと直流増幅率 hfe を持つトランジスタを選択し、自励励起を防止します。一般に、一次増幅には小さな挿入ゲインが必要であり、その直流増幅率 hfe は大きくなるように選択する必要があります。また、二次増幅にはより大きな挿入ゲインが必要であり、その直流増幅率 hfe は大きすぎないようにする必要があります。

(11) 高周波三極管を回路に接続する場合は、ベースを先に接続してください。コレクタとエミッタに電圧がかかっている間はベース回路を開かないでください。

(12) 高周波三極管には多くの種類があるため、三極管の種類は特定の回路の要件に従って決定し、三極管の主なパラメータに従って選択する必要があります。