双方向IGBTとは何ですか？

双方向 IGBT は、5 つの層と 4 つのセグメントを備えた新しいタイプの双方向 IGBT パワー半導体デバイスで、さまざまな用途における従来の IGBT のいくつかの欠点を考慮して業界によって提唱されています。その核心は、新しいデバイスの双方向制御の目的を達成するために、プレーナゲートIGBTに基づく対称機構と双方向入力制御方式を採用することです。双方向 IGBT モジュールは高周波マトリクスコンバータを実現する非常に有効な手段です。ハードスイッチング PWM コンバータとは異なり、マトリックス コンバータのスイッチング損失と導通損失は、選択した変調方式によって異なります。

SLKOR IGBT

双方向IGBTは双方向導通と双方向ブロッキングを実現し、順方向と逆方向のブロッキング電圧を同レベルにすることができるため、マトリックスコンバータに適しています。ダイオードを2個節約できます。双方向IGBTの静的特性と動的特性から、双方向IGBTの電気特性は双方向で良好な対称性を持っていることがわかります。下の図からわかるように、Ice=4.4Aのとき、デバイスの上部と下部のDC電圧はそれぞれVce=4.2VとVce=4.6Vです。デバイスの上部と下部のDC電圧は一致しておらず、不一致率は約XNUMX%です。