MOS 트랜지스터 또한 반도체의 일종이며, 이러한 소자를 대칭형 트랜지스터라고 합니다. 크기가 작고 흔하게 사용되기 때문에 많은 곳에서 바이폴라 트랜지스터를 대체할 수 있습니다. MOS 트랜지스터 역시 장주기 트랜지스터의 일종이며, 제어형 전자 소자입니다. 겉보기에는 트랜지스터와 비슷해 보이지만, 작동 원리는 완전히 다릅니다. MOS 트랜지스터 역시 스위칭 회로에 자주 사용되며, 주로 전압을 이용하여 작동합니다.

MOS 진공관의 역할은 여전히 ​​매우 분명합니다. 돋보기에만 사용되는 것이 아니라, 모터 콘덴서를 사용할 필요도 없습니다. MOS 진공관 자체의 임피던스가 매우 높기 때문입니다. 또한, 다단계 증폭 회로에서도 뛰어난 효과를 발휘합니다. 뿐만 아니라 전자 스위치, 가변 저항으로도 사용할 수 있어 활용도가 매우 높습니다.
MOS 튜브의 내부 전하는 측정 전에 방전되어야 합니다. 즉, 세 개의 핀을 철선으로 연결하여 내부 전하를 제거하고 회로가 닫힌 상태가 되도록 할 수 있습니다. 이러한 측정 방법은 매우 간단합니다. 다이오드 측정 범위를 활용하면 다이오드의 단방향 전도 특성을 통해 품질을 더욱 정확하게 측정할 수 있습니다.
이 MOS 튜브를 점검하는 것은 그리 간단하지 않습니다. 다이오드 기어를 조정하여 S 레벨과 D 레벨을 각각 감지했을 때, 둘 중 하나는 차단 상태이고 다른 하나는 디지털 디스플레이에 표시되면 정상으로 판단할 수 있습니다. 하지만 두 측정값 모두 1을 표시하면 개방 회로이고, 둘 다 디지털 디스플레이에 표시되면 절연 파괴입니다. 이렇게 감지할 수 있는 이유는 두 멀티미터의 테스트 리드 사이에 이 장치를 통해 전압이 흐르기 때문에 감지 과정에서 연속성과 차단이 발생하여 감지가 가능하기 때문입니다. 물론 저항 레벨이나 부저 레벨을 사용하여 측정할 수도 있습니다. 절연 파괴가 발생하면 부저가 울리거나 저항 레벨에 저항값이 표시되므로, 이러한 방법으로 품질을 더 정확하게 판단할 수 있습니다.

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