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Transistor de RF BFG540/X SOT-143B
Fabricado con la tecnología de epitaxia de silicio, el chip tiene características tales como altas ganancias de potencia, bajo factor de ruido, amplia frecuencia de inversión, baja corriente de fuga, estructura principal de material dorado y alta confiabilidad;
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Mareas Ideales para Lecciones
● Fabricado con tecnología de epitaxia de silicio, el chip tiene características tales como altas ganancias de potencia, bajo factor de ruido, amplia frecuencia de inversión, baja corriente de fuga, estructura principal de material dorado y alta confiabilidad;
● Se aplica principalmente a productos de amplificadores de bajo ruido de banda ancha de alta frecuencia de microondas, VHF, UHF y CATV de frecuencia ultraalta, como sintonizadores SATV, amplificadores CATV, teléfonos inalámbricos digitales analógicos, detectores de radar, módulos de radiofrecuencia y amplificadores de relé en fibra óptica. transmisión;
● Tensión de ruptura colector-emisor: BVCEO=12V, corriente máxima del colector: IC=120mA, energía desperdiciada del colector: PC=400mW, frecuencia característica: fT=9GHz;
● Se adopta el paquete de plástico de superficie SOT4B de 143 pines (los pines colectores anchos y los pines emisores duales); BFG540 y BFG540/X tienen los mismos formatos de paquete pero diferentes definiciones en pines.
Características
● BVCEO (voltaje de ruptura colector-emisor): 15 V: garantiza un rendimiento estable incluso en entornos de alto voltaje.
● IC (corriente de colector): 120 mA: proporciona corriente adecuada para soportar la amplificación de señal de alta frecuencia.
● fT (Frecuencia de transición): 9 GHz: garantiza un procesamiento de señal de alta velocidad con una distorsión mínima.
● NF (figura de ruido): 1.9 dB: proporciona amplificación de bajo ruido y mantiene la claridad de la señal.
● IP1dB (potencia de salida en un punto de compresión de 1 dB): 21 dBm: ofrece una potencia de salida sólida para una transmisión de señal eficiente.
● Paquete: SOT-143B: compacto y que ahorra espacio, adecuado para diversas aplicaciones.
Aplicaciones
● Sistemas de comunicación RF
● Dispositivos de microondas
● Equipo de radiodifusión
● Comunicaciones por satélite
● Pruebas y mediciones
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
Transistor bipolar NPN BFG425W-TOB SOT-343R
Marcas: slkor，
Transistor bipolar NPN BFR380F SOT-323
Marcas: slkor， BVCEO(V)： 6V
Transistor de RF BFR520 SOT-23
Marcas: slkor， BVCEO(V)： 12V IC(mA)： 70mA fT(GHz)： 9GHz NF(dB)： 1.6dB PL1： 26dBm Package： SOT-23
Transistor de silicio epitaxial BFG520/XR SOT-143R
Marcas: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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