Hotline usługi
Produkty
Produkty
NTR4003N N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
● Technologia MOSFET MV Trench Power
● Sterowany napięciem mały przełącznik sygnałowy
● Niska pojemność wejściowa
Nasze atuty
Chińskie procesy produkcyjne przeszły lata iteracji, w wyniku czego powstały dojrzałe i niezawodne technologie. Wiele międzynarodowych korporacji decyduje się na outsourcing produkcji w Chinach. Jako producent podzespołów elektronicznych w Chinach, nasze produkty mogą w 99% zastosowań całkowicie zastąpić produkty głównych międzynarodowych marek, bez konieczności przeprowadzania weryfikacji testowej. Nasze produkty charakteryzują się wysoką stałą jakością, rozsądnymi cenami, dużymi zapasami, elastycznymi dostawami, krótkimi terminami realizacji i profesjonalną obsługą posprzedażną.
Wprowadzenie produktu
NTR4003N to niskonapięciowy tranzystor MOSFET z kanałem N, odpowiedni do przetwornic DC-DC, systemów zarządzania akumulatorami i innych zastosowań niskonapięciowych. Charakteryzując się napięciem dren-źródło 20 V, rezystancją w stanie przewodzenia 1.5 Ω i ciągłym prądem drenu 560 mA, układ ten zapewnia wydajną konwersję mocy w kompaktowej obudowie. Napięcie progowe bramki wynosi 1.6 V przy 250 µA, co zapewnia doskonałą sterowalność włączania i wyłączania ścieżki prądowej przy sygnałach niskiego poziomu.
cechy produktu
- Tranzystor MOSFET niskiego napięcia z kanałem N, odpowiedni do przetwornic DC-DC, zarządzania akumulatorami i innych zastosowań niskonapięciowych - Napięcie dren-źródło (Vdss): 20 V, umożliwia wydajną konwersję mocy w kompaktowej obudowie - Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on) @ Vgs, Id): 1.5 Ω @ 4.5 V, 10 mA. Niska rezystancja w stanie przewodzenia zapewnia wysokowydajną konwersję mocy - Ciągły prąd drenu (Id): 560 mA, idealny do zastosowań w zasilaczach o małych rozmiarach - Napięcie progowe bramki (Vgs(th) @ Id): 1.6 V @ 250 µA. Zapewnia doskonałą sterowalność włączania i wyłączania ścieżek prądowych przy niskich poziomach sygnału - Obudowa: SOT-23, ułatwiająca projektowanie i montaż PCB
Zastosowania
Układ NTR4003N jest powszechnie stosowany w aplikacjach niskonapięciowych, zwłaszcza w przetwornicach DC-DC, układach zarządzania akumulatorami i innych układach wymagających wysokosprawnej konwersji niskiego napięcia. Dzięki kompaktowej obudowie i niskiej rezystancji w stanie włączenia, zapewnia on wysoką sprawność konwersji mocy w zastosowaniach z małymi zasilaczami.
Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.
2SK3018 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323
Marka: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Tranzystory polowe z tlenkiem metalu i krzemem
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-523
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
FDN302P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Potrzebujesz pomocy? Zeskanuj kod telefonem, aby rozpocząć czat na WhatsAppie.
Copyright@2025 Wszelkie prawa zastrzeżone
Slkor
粤公网安备44030002007346号