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NTR4003N N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
● Trench Power MV MOSFET-Technologie
● Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
● Niedrige Eingangskapazität
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Produkteinführung
Der NTR4003N ist ein N-Kanal-Niederspannungs-MOSFET, der sich für DC/DC-Wandler, Batteriemanagement und andere Niederspannungsanwendungen eignet. Mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V, einem Durchlasswiderstand von 1.5 Ω und einem Dauerstrom von 560 mA ermöglicht dieses Bauteil eine effiziente Leistungswandlung in einem kompakten Gehäuse. Seine Gate-Schwellenspannung beträgt 1.6 V bei 250 µA und bietet somit eine hervorragende Steuerbarkeit zum Ein- und Ausschalten des Strompfads bei schwachen Signalen.
Produkt-Eigenschaften
- N-Kanal-Niederspannungs-MOSFET, geeignet für DC/DC-Wandler, Batteriemanagement und andere Niederspannungsanwendungen. - Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V, ermöglicht effiziente Leistungswandlung in einem kompakten Gehäuse. - Durchlasswiderstand (RDS(on) @ Vgs, Id): 1.5 Ω @ 4.5 V, 10 mA. Der niedrige Durchlasswiderstand ermöglicht eine hocheffiziente Leistungswandlung. - Dauerstrom (Id): 560 mA, ideal für kleine Stromversorgungsanwendungen. - Gate-Schwellenspannung (Vgs(th) @ Id): 1.6 V @ 250 µA. Bietet hervorragende Steuerbarkeit zum Ein- und Ausschalten von Strompfaden bei niedrigen Signalpegeln. - Gehäuse: SOT-23, erleichtert Leiterplattendesign und -bestückung.
Anwendungen
Der NTR4003N findet breite Anwendung in Niederspannungssystemen, insbesondere in DC/DC-Wandlern, Batteriemanagementsystemen und anderen Schaltungen, die eine hocheffiziente Niederspannungs-Leistungswandlung erfordern. Dank seines kompakten Gehäuses und des geringen Durchlasswiderstands ermöglicht er eine hocheffiziente Leistungswandlung für Anwendungen mit kleinem Formfaktor.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
2SK3018 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Kanal-Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistor SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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