Colunista
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MOSFET de potência de canal P com modo de enriquecimento SL2301
2023-06-20 1437

Hoje, apresentaremos o MOSFET de canal P de baixa tensão SL2301 SOT-23 da Slkor, um Transistor de efeito de campo (FET) de modo de aprimoramento de canal P em um pequeno pacote de plástico SOT23 (TO-236AB) de dispositivo montado em superfície (SMD) usando tecnologia Trench MOSFET.

Features

?1.8RVFilho classificado para acionamento de portão de baixa tensão

?Troca muito rápida

?Tecnologia MOSFET de trincheira

Aplicações

?Driver de relé

?Driver de linha de alta velocidade

?Chave de carga do lado alto

?Circuitos de comutação

Dados de referência rápida

Símbolo Parâmetro Condições Max Unidade
VDS tensão da fonte de drenagem Tamb = 25 ° C ? 20 V
VGS tensão porta-fonte Tamb = 25 ° C ± 10 V
ID corrente de drenagem Tamb = 25 ° C
VGS = ?4.5 V
? 2.8 A
RFilho resistência no estado da fonte de drenagem Tj = 25 ° C
VGS = ?4.5 V
100 mΩ


Sobre Slkor

Com uma equipe de elite da prestigiada Universidade Chinesa de Tsinghua e da Universidade Coreana de Seul Yonsei, a Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. dedica-se aos dispositivos de energia SiC semicondutores de terceira geração e aos dispositivos semicondutores convencionais. Somos fortes nas metodologias relevantes, nos novos materiais, nas novas tecnologias e nos novos produtos. Nossos produtos abrangem dispositivos discretos e CIs, diodos, transistores, dispositivos de potência, chips de gerenciamento de energia e chips analógicos etc. Sob a forte liderança do Sr. Song Shiqiang, CEO da Slkor, que começa em uma casa de design IP, a Slkor é agora uma empresa nacional de alta tecnologia que cobre serviços de P&D, produção e vendas de dispositivos semicondutores. A Slkor fornece equivalentes nacionais de semicondutores de qualidade dos principais players internacionais. Para serviços imediatos, a Slkor possui duas lojas principais no mundialmente famoso vale de hardware Shenzhen Huaqiangbei.


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