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Transistor bipolar 2N5551 NPN TO-92
Apresentando o Transistor Bipolar NPN 2N5551, um componente de alto desempenho projetado para aplicações eletrônicas exigentes. Alojado em um pacote TO-92, este transistor oferece uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo) de 160 V e suporta uma corrente de coletor (Ic) de até 0.6 A. Com uma capacidade de dissipação de energia de 625 mW e uma baixa tensão de saturação (VCE(sat)) de 0.2 V, ele garante uma operação eficiente. O 2N5551 também ostenta uma impressionante frequência de transição (fT) de 300 MHz, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência.
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
Apresentando o Transistor Bipolar NPN 2N5551, um componente de alto desempenho projetado para aplicações eletrônicas exigentes. Alojado em um pacote TO-92, este transistor oferece uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo) de 160 V e suporta uma corrente de coletor (Ic) de até 0.6 A. Com uma capacidade de dissipação de energia de 625 mW e uma baixa tensão de saturação (VCE(sat)) de 0.2 V, ele garante uma operação eficiente. O 2N5551 também ostenta uma impressionante frequência de transição (fT) de 300 MHz, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência.
CARATERÍSTICAS
● Aplicação de comutação de uso geral
● Transistores NPN
Aplicação
● Amplificação de alta frequência: ideal para uso em RF e circuitos analógicos de alta velocidade que exigem processamento rápido de sinal e resposta de alta frequência.
● Circuitos de comutação: perfeitos para aplicações de comutação de média corrente, onde baixa tensão de saturação e alta tolerância de tensão são essenciais.
● Regulagem da fonte de alimentação: adequado para reguladores de tensão linear e outros circuitos de gerenciamento de energia onde estabilidade e desempenho são essenciais.
● Processamento de sinal: eficaz em sistemas de áudio e comunicação onde alto ganho e baixo ruído são necessários.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
13001 Transistor Bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SA1037-R PNP Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SA1661-Y PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1188-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1260-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1386-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1424-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 240MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC1623 NPN Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SC2873 NPN Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 2A
2SC3357 RF
Marcas: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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