Основные идеи:

Ожидается, что в 2021 году рынок силовых полупроводников переживет период бурного роста. В 2018 году, под влиянием быстрого роста спроса на электромобили и других микросхем, занимавших 8-дюймовые производственные мощности, на рынке силовых полупроводников наблюдался дефицит и рост цен; в 2019 году, под влиянием спада продаж смартфонов, традиционных автомобилей и устойчивого развития электромобилей, рынок силовых полупроводников оставался стабильным; в 2020 году, под влиянием эпидемии, спрос на силовые полупроводники в первом полугодии был невысоким, но после третьего квартала, благодаря влиянию электропитания 5G, смартфонов, промышленности, электромобилей и IoT-оборудования, значительно вырос. Зарубежная эпидемия повлияла на производственные мощности иностранных производителей, и некоторые продукты столкнулись с дефицитом и ростом цен. Мы считаем, что под влиянием множества факторов, рынок силовых полупроводников переживет период бурного роста в 2021 году.

Промышленная перспектива

В 2021 году рост спроса + повышение цен + внутреннее замещение создадут хорошие возможности для развития силовых полупроводников: из-за глобальной эпидемии коронавируса мировой рынок силовых полупроводников сократится в 2020 году. QYResearch прогнозирует снижение на 9.1% в годовом исчислении в 2020 году. Ожидается рост на 8.1% в годовом исчислении в 2021 году, обусловленный спросом на мобильные телефоны 5G, электромобили и Интернет вещей. В четвертом квартале 2020 года сроки поставок силовых полупроводниковых изделий ON Semiconductor от Infineon, STMicroelectronics и Diodes в целом увеличились. Была очевидна тенденция к повышению цен на некоторые MOSFET-транзисторы, особенно от Infineon. Отечественные бренды также столкнулись с дефицитом и повышением цен. Цены на MOSFET в целом выросли на 10-20%. В 2019 году Китай превратился в крупнейший в мире рынок силовых полупроводников, на который приходится 35.9% мирового рынка. Однако уровень самообеспеченности низок. Взяв в качестве примера IGBT, можно отметить, что в 2019 году этот показатель составлял всего 16.3%. Мы считаем, что в 2021 году силовые полупроводники откроют для себя хорошие возможности для развития, обусловленные ростом спроса, повышением цен и замещением отечественными компонентами, и вся производственная цепочка получит от этого активную выгоду.

Производство и продажи электромобилей стремительно растут, и спрос на IGBT-транзисторы стремительно увеличивается. В ноябре 2020 года объем производства и продаж электромобилей составил 198 000 и 200 000 единиц соответственно, что представляет собой рост на 75.1% и 104.9% соответственно по сравнению с предыдущим годом. Прогнозируется, что к 2025 году общее количество электромобилей в мире достигнет 11 миллионов, при этом на Китай придется 50%. Для производства электромобилей требуется большое количество новых силовых полупроводников. Стоимость 48-вольтового мягкого гибридного автомобиля увеличится более чем на 90 долларов США, а электромобиля или гибрида — более чем на 330 долларов США. Ожидается, что среднегодовой темп роста продаж автомобильных IGBT-модулей достигнет 23.5% в период с 2018 по 2023 год. Производство автомобильных силовых полупроводников — сложная и высококонцентрированная отрасль, где европейские и американские производители занимают лидирующие позиции. В 2019 году крупнейшей в мире компанией была Infineon с долей рынка 25.5%, а второй по величине компанией — STMicroelectronics с долей рынка 13.9%. На долю пяти крупнейших компаний приходилось в общей сложности 62.1%, что указывает на высокую степень концентрации. Китайские компании имеют слабую базу в области автомобильных силовых полупроводников, но развитие электромобилей в Китае в последние годы быстро развивалось, что также способствовало развитию индустрии IGBT. В 2019 году Infineon заняла первое место в Китае по производству IGBT для электромобилей, занимая 49.3%, за ней следовала BYD, которая в основном поставляет собственную продукцию, с долей 20%, а Star Semiconductor заняла третье место с долей рынка 16.6% и быстрым ростом.

Характеристики полупроводников третьего поколения превосходны, и спрос на них растет. Карбид кремния (SiC) в основном используется в бытовой технике, возобновляемой энергетике (электромобили, ветроэнергетика, фотовольтаика) и промышленных приложениях. Прогнозируется, что объем рынка силовых устройств на основе карбида кремния превысит 10 миллиардов долларов США к 2027 году. Что касается автомобильной промышленности, SiC MOSFET явно превосходят конкурентов по характеристикам, что позволяет снизить потери, уменьшить объем и вес модуля. Model 3 стала первой моделью, в которой был использован SiC MOSFET, положив начало применению SiC в электромобилях. В 2020 году BYD Han также использовала модули на основе SiC, что эффективно улучшило динамические характеристики, мощность и выносливость. В автомобиле Toyota Mirai на топливных элементах используется SiC, что позволило уменьшить объем силового модуля на 30% и снизить потери на 70%. Мы считаем, что с уменьшением стоимости и постепенным развитием технологий SiC имеет хорошие перспективы применения в электромобилях.

Ключевые предприятия: Star Semiconductor, Hua Hong Semiconductor, China Resources Micro, Silan Micro и New Clean Energy.

Предупреждение о рисках: Развитие электромобилей не оправдывает ожиданий, продажи смартфонов не соответствуют ожиданиям, а прогресс в области 5G ниже прогнозируемого.

1. Широкий спектр применения и стабильное развитие отрасли силовых полупроводников.

1.1 Ожидается, что среднегодовой темп роста мирового рынка силовых полупроводников в период с 2019 по 2025 год составит 4.3%.

Силовые полупроводники широко используются в различных электронных изделиях. Объем рынка силовых полупроводников в 2019 году составил 17.5 млрд долларов США. По прогнозам компании Yole, к 2025 году объем рынка достигнет 22.5 млрд долларов США, а среднегодовой темп роста с 2019 по 2025 год составит 4.3%.

В целом, среднегодовой темп роста рынка IGBT-модулей с 2019 по 2025 год составляет 18%. Благодаря быстрому развитию новых энергетических отраслей (электромобили, ветроэнергетика и фотовольтаика) и промышленного управления, прогнозируется, что общий объем рынка IGBT-модулей достигнет 5.4 млрд долларов США к 2025 году, что составит 24% от всего рынка силовых полупроводников.

Наибольшую долю занимает автомобильная промышленность, за ней следуют моторные заводы. В 2019 году объем рынка автомобильных компонентов (включая электромобили, гибридные автомобили, кремниевые MOSFET-транзисторы) составил 1.5 млрд долларов США, компонентов для приводов двигателей (приводы двигателей, модули IGBT) — 1.4 млрд долларов США, компонентов для смартфонов и беспроводного оборудования (кремниевые MOSFET-транзисторы) — 1.3 млрд долларов США, компонентов для компьютерных технологий (вычислительная техника) и хранения данных (кремниевые MOSFET-транзисторы) — 1.2 млрд долларов США, компонентов для промышленного применения (кремниевые MOSFET-транзисторы) — 1.1 млрд долларов США, а компонентов для электромобилей и гибридных автомобилей (модули IGBT) — 600 млн долларов США (остальные — 10.4 млрд долларов США). Судя по доле (объему) различных компонентов на рынке силовых полупроводников, на кремниевые MOSFET-транзисторы приходится 45%. Другим важным компонентом являются модули IGBT, объем рынка которых в 2019 году составил 3.7 млрд долларов США. Большое внимание привлекают области применения в промышленности, инверторы для рекуперации энергии, электромобили и гибридные автомобили (особенно электромобили и гибридные автомобили как новейшее направление применения).

Быстрый рост рынка автомобильных SiC MOSFET-транзисторов. В связи с спросом со стороны автопроизводителей, таких как Tesla в США и BYD в Китае, кремниевые модули постепенно заменяют модули IGBT в качестве основных инверторов. Прогнозируется, что рынок SiC MOSFET также будет расти благодаря развитию электромобилей и гибридных автомобилей. В будущем дискретные SiC-транзисторы будут конкурировать с MOSFET в качестве эффективных бортовых зарядных систем.

1.2 Китайский рынок силовых полупроводников занимает первое место в мире, и ведущие отечественные компании быстро развиваются.

В 2019 году на китайский рынок силовых полупроводников приходилось 35.9% мирового рынка: Китай является крупнейшим в мире потребителем силовых устройств, и основные продукты в сегменте силовых устройств занимают первое место по доле рынка в Китае.

Доля отечественных лидеров на мировом рынке по-прежнему очень низка, и существует явный разрыв с международными гигантами: как и во всей полупроводниковой отрасли, по сравнению с зарубежными производителями силовых полупроводниковых устройств, годовые продажи ведущих отечественных компаний (China Resources Micro, Star Semiconductor, New Clean Energy, Yangjie Technology, China Microelectronics, Silan Micro и др.) значительно отличаются от продаж международных гигантов, а структура продукции ориентирована на низший ценовой сегмент, что указывает на серьезное несоответствие между размером рынка силовых полупроводников в Китае и уровнем автономности, и существует огромный потенциал для замещения отечественными производителями. В настоящее время китайская полупроводниковая промышленность в силовой отрасли быстро развивается. Компания Wingtech Technology приобрела Nexperia, и ряд компаний, занимающихся силовыми полупроводниками, таких как Star Semiconductor, China Resources Micro и New Clean Energy, одна за другой выходят на биржу и продолжают расти.

2. Под влиянием спроса, в 2021 году в силовых полупроводниках начнётся бурный рост.

2.1 Сроки поставки продукции крупных международных производителей силовых полупроводников увеличены.

В четвертом квартале 2020 года сроки поставки MOSFET, IGBT и другой продукции Infineon в целом увеличились, достигнув 30 недель. При этом наблюдается рост цен на низковольтные и высоковольтные MOSFET, а также на транзисторы для военной авиации. Сроки поставки силовых полупроводниковых изделий STMicroelectronics демонстрируют тенденцию к общему увеличению, а цены остаются стабильными.

В четвертом квартале 2020 года сроки поставки MOSFET- и транзисторных продуктов компании Diodes были увеличены, при этом самый длительный цикл поставок достиг 20 недель, а цены на низковольтные MOSFET-транзисторы демонстрируют тенденцию к росту. Сроки поставки силовых продуктов ON Semiconductor также были увеличены, а цены на высоковольтные и низковольтные MOSFET-транзисторы показали тенденцию к росту.

2.2 Тенденция роста цен на силовые полупроводниковые MOSFET-транзисторы очевидна.

Рост цен на MOSFET-транзисторы составляет от 10 до 20%. Согласно данным исследования отраслевой цепочки, с ноября по декабрь 2020 года зарубежные бренды, особенно Infineon, испытывали дефицит и рост цен. Отечественные бренды также столкнулись с нехваткой и повышением цен. В целом, цены на MOSFET-транзисторы на рынке выросли на 10-20%.

Китай — страна с большим спросом на MOSFET-транзисторы, но сильно зависит от импорта. По данным IHS, объем мирового рынка MOSFET-транзисторов в 2019 году составил 7.6 млрд долларов США, при этом на внутренний рынок приходилось 39%. С точки зрения структуры рынка MOSFET-транзисторов, на Infineon, ON Semiconductor, Toshiba, ST и Renesas вместе приходится 61% доли внутреннего рынка. Крупные международные производители испытывают нехватку предложения и явный дефицит.

Спрос резко вырос, а недостаточные производственные мощности по выпуску 8-дюймовых пластин привели к дефициту и росту цен. Электрификация автомобилей привела к значительному увеличению спроса на MOSFET-транзисторы. Потребность в энергосбережении и защите окружающей среды в электронных устройствах последующего производства не только стимулировала рост спроса, но и привела к быстрой модернизации структуры продукции. Начало процесса коммерциализации 5G привело к экспоненциальному росту спроса на MOSFET-транзисторы. В области питания зарядных устройств и питания для сетей связи 5G прогнозируется рост спроса на 20-30% в этом году. Отложенный спрос в первой половине года на компьютеры, бытовую технику и быструю зарядку постепенно высвобождается. Со стороны предложения, MOSFET-транзисторы в основном поставляются с заводов по производству 8-дюймовых и 6-дюймовых пластин, при этом на 12-дюймовые и менее 80% приходится. Согласно данным исследования отраслевой цепочки, производственные мощности по выпуску 8-дюймовых пластин на основных заводах в настоящее время полностью загружены. Например, коэффициенты загрузки мощностей отечественных заводов по производству 8-дюймовых пластин, таких как Huahong и China Resources Micro, близки к полной загрузке, а мощности завода UMC по производству 8-дюймовых пластин будут полностью загружены ко второй половине 2021 года.

Компания Diodes (США и Тайвань) начнет повышать цены на некоторые товары с 1 января 2021 года. В уведомлении о повышении цен для клиентов компания Diodes (США и Тайвань) заявила, что из-за последствий эпидемии COVID-19 компания сталкивается с проблемами, связанными с увеличением затрат и задержкой поставок от поставщиков. В связи с этим, начиная с 1 января 2021 года, будут повышены цены на некоторые товары.

Цены на продукцию Silan Micro SGT MOS выросли на 20%. 9 декабря компания Hangzhou Silan Microelectronics заявила, что в связи с ростом цен на MOS-пластины и упаковочные материалы, а также влиянием производственных мощностей, стоимость соответствующей продукции продолжает расти. Для обеспечения бесперебойных поставок и поддержания хороших деловых отношений компания тщательно изучила ситуацию и приняла решение о повышении цен на продукцию SGT MOS на 20% с 9 декабря 2020 года.

Компания Xinjie Energy повысит цены на некоторые продукты начиная с 1 января 2021 года. 21 декабря 2020 года компания Wuxi New Clean Energy также опубликовала уведомление о корректировке цен для своих клиентов. В уведомлении указывалось, что из-за продолжающегося роста затрат на сырье и упаковку, ограниченных производственных мощностей и увеличенных производственных циклов, себестоимость продукции значительно возросла, и первоначальная цена с трудом покрывает потребности поставок.

Ожидается, что в 2021 году рынок силовых полупроводников переживет бурный рост. В 2018 году, под влиянием быстрого роста спроса на электромобили и других микросхем, занимавших 8-дюймовые производственные мощности, на рынке силовых полупроводников наблюдался дефицит и рост цен; в 2019 году, под влиянием спада продаж смартфонов, традиционных автомобилей и устойчивого развития электромобилей, рынок силовых полупроводников оставался стабильным; в 2020 году, под влиянием эпидемии, спрос на силовые полупроводники в первом полугодии был невысоким, но после третьего квартала, благодаря влиянию источников питания 5G, смартфонов, быстрой зарядки, промышленности, электромобилей и оборудования для Интернета вещей, значительно вырос, и некоторые продукты столкнулись с дефицитом и ростом цен. Мы считаем, что в 2021 году рынок силовых полупроводников переживет бурный рост.

3. Высокий спрос на электромобили, обусловленный спросом в различных отраслях и внутренним замещением, IGBT-транзисторы имеют многообещающее будущее.

3.1 IGBT — жемчужина среди силовых устройств, процессоров в силовой электронике и системах.

IGBT — это интегрированный силовой полупроводниковый прибор со сложным принципом работы. В структурном отношении IGBT объединяет практически все основные структуры полупроводниковых приборов, такие как диоды, биполярные транзисторы (БТ), полевые транзисторы с p-n переходом (JFET), MOSFET и тиристоры (SCR). Изменения структурных параметров IGBT приводят к соответствующим изменениям его характеристик. С точки зрения технологического процесса, IGBT использует технологию MOS-интегральных схем для крупномасштабной силовой интеграции. Конструкция показывает, что размер элементарной ячейки уменьшается. Чем больше ячеек интегрировано параллельно, тем постепенно уменьшается падение напряжения в открытом состоянии (потери проводимости).

Технология IGBT существует уже более 30 лет и за это время прошла через 6 основных этапов совершенствования технологий и технологических процессов. С точки зрения структуры, IGBT можно разделить на вертикальную структуру, структуру затвора IGBT и технологию обработки кремниевых пластин. Основная тенденция развития — снижение потерь.

IGBT подходит для высоковольтных применений: IGBT — это комбинированный силовой полупроводниковый прибор, состоящий из биполярного транзистора (BJT) и полевого транзистора (MOSFET). Он обладает не только преимуществами MOSFET — высокой скоростью переключения, высоким входным сопротивлением, малой мощностью управления, простой схемой управления и малыми потерями при переключении, — но и преимуществами BJT — низким напряжением в открытом состоянии, большим током в открытом состоянии и малыми потерями. По показателям высокого напряжения, большого тока и высокой скорости он не имеет себе равных среди других силовых приборов. Поэтому он является идеальным коммутирующим устройством в области силовой электроники и основным направлением развития будущих приложений. Стабильность IGBT немного хуже, чем у MOSFET, и выше, чем у BJT. Однако выдерживаемое напряжение IGBT легче повысить, чем у MOSFET, и он менее подвержен вторичному пробою, что делает его подходящим для высоковольтных применений.

В качестве ключевого устройства в области промышленного управления и автоматизации модули IGBT широко используются во многих областях, таких как энергосбережение в электродвигателях, железнодорожный транспорт, интеллектуальные сети, аэрокосмическая промышленность, бытовая техника, автомобильная электроника, производство электроэнергии на новых источниках, электромобили и т. д. С развитием электромобилей и популярностью электроприборов с регулируемой частотой рынок IGBT продолжает активно развиваться. Они не только повышают уровень автоматизации и точность управления оборудованием в промышленных приложениях, но и значительно улучшают эффективность использования электроэнергии, одновременно уменьшая объем и вес изделия и экономя материалы.

IGBT обладает значительными преимуществами при напряжении выше 600 В и в настоящее время может применяться в высоковольтных системах до 6500 В. В высоковольтной области SiC MOSFET является конкурентом IGBT, но его стоимость по-прежнему высока.

В связи с непрерывным обновлением приложений, к микросхемам и модулям IGBT предъявляются новые требования. Микросхемы должны занимать меньшую площадь и обеспечивать быстрое переключение. IGBT-транзисторы должны выдерживать более высокое напряжение и ток, обладать низкими потерями и высокой надежностью.

Для силовых модулей автомобильного класса требуются более высокая надежность электрической работы, больший срок службы, лучшее энергосбережение, высокая помехоустойчивость, малый вес, компактность и т.д.

Для удовлетворения разнообразных потребностей в приложениях технология упаковки силовых модулей также постоянно развивается, в основном за счет новых технологий для кремниевых устройств, снижения теплового сопротивления, новых методов сварки чипов, двухстороннего отвода тепла, повышения уровня интеграции и т. д.

3.2 Новые энергетические транспортные средства являются основной движущей силой роста производства IGBT-модулей.

Ценность силовых полупроводников для электромобилей значительно возросла: основная часть новых силовых устройств приходится на «три силовые» системы автомобилей, включая системы управления питанием, электропривод и аккумуляторные батареи. В блоке управления питанием модули IGBT или SiC преобразуют высоковольтный постоянный ток в переменный, который приводит в движение трехфазный двигатель; в бортовых зарядных устройствах, преобразователях переменного/постоянного тока и постоянного/постоянного тока используются отдельные транзисторы IGBT или SiC, MOS и SBD; в высоковольтных вспомогательных контроллерах, таких как электроусилитель руля, водяные насосы, масляные насосы, PTC-термисторы и компрессоры кондиционеров, используются отдельные транзисторы или модули IGBT; в системах старт-стоп ISG в электромобилях используются отдельные транзисторы MOS в низковольтных контроллерах, таких как стеклоочистители.

(1) Система управления скоростью электродвигателей: В системах управления скоростью электродвигателей электромобилей используются два основных типа силовых устройств: прерыватели для двигателей постоянного тока и инверторы для двигателей переменного тока. (1) Прерыватель: В системах управления скоростью двигателей постоянного тока обычно используются прерыватели. Силовая схема относительно проста, а КПД достаточно высок. С развитием силовых устройств частота прерывателя может достигать нескольких тысяч герц, поэтому он очень подходит для регулирования скорости тяговых двигателей постоянного тока. Электромобили приводятся в движение двигателями постоянного тока. Независимо от того, являются ли они двигателями с последовательным или раздельным возбуждением, в качестве преобразователей мощности используются прерыватели. В силовых устройствах прерывателей в основном используются MOSFET и BJT. (2) В режиме преобразования постоянного тока в постоянный инвертор обычно используются два метода: прерыватель постоянного тока плюс инвертор и инвертор постоянного тока/цифро-аналоговый преобразователь. Поскольку напряжение питания электромобилей низкое, при использовании первого метода будет слишком много звеньев передачи энергии, что снизит эффективность всей системы. Использование ШИМ-инвертора напряжения имеет простую схему, мало звеньев и высокую эффективность. Кроме того, в настоящее время появились резонансные преобразователи постоянного тока и высокочастотные резонансные преобразователи переменного тока. Благодаря использованию технологии переключения при нулевом напряжении или нулевом токе, резонансный преобразователь обладает преимуществами малых потерь при переключении, малых электромагнитных помех, низкого уровня шума, высокой удельной мощности и высокой надежности.

(2) Преобразователь энергии: Основным компонентом преобразователя энергии в электромобилях является силовой прибор. В настоящее время широко используются такие силовые приборы, как CTO, BJT, MOSFET, IGBT, SITSITH и MCT. Среди них CTO и MCT обладают высокой скоростью переключения, высокой способностью передачи энергии, превосходными динамическими характеристиками и высокой надежностью. Они очень подходят для привода электромобилей. В то же время силовые приборы могут влиять на структуру преобразователя энергии. DC-DC и DC-AC преобразователи используются в двигателях постоянного и переменного тока соответственно.

(3) Бортовое зарядное устройство: Разработка бортовых зарядных устройств является необходимым условием для развития электромобилей, поскольку они могут эффективно дополнять электроэнергию из сети переменного тока в аккумулятор каждого электромобиля. Функция зарядного устройства заключается в преобразовании переменного тока в постоянный, что требует использования силовых устройств, таких как IGBT. Электромобили предъявляют новые требования к этим силовым устройствам. Они требуют не только двухступенчатой ​​зарядки постоянным током и постоянным напряжением, но и высокой эффективности, малого веса, множества функций защиты, таких как самодиагностика и автоматическая зарядка, а также возможности программирования кривой времени зарядки, контроля температуры батареи и отсутствия загрязнения электросети.

(4) Зарядные станции: Будучи незаменимым базовым вспомогательным оборудованием для транспортных средств на новых источниках энергии, индустрия зарядных станций в нашей стране также находится в стадии быстрого роста, и будущее рыночное пространство обширно. Статистика Infineon показывает, что для зарядной станции мощностью 100 кВт требуется силовое устройство стоимостью 200-300 долларов США, и модуль IGBT является основным устройством зарядной станции.

Различные электромобили требуют разного количества силовых полупроводниковых приборов. По мере увеличения числа полностью электрических автомобилей объемы производства и цены на автомобильные силовые полупроводниковые приборы будут расти.

Согласно данным Infineon, в 2020 году для 48-вольтовых мягких гибридных автомобилей потребуется добавить силовые полупроводники на сумму 90 долларов, а для электромобилей или гибридов — на сумму 330 долларов.

В 2019 году общее количество электромобилей в мире достигло 2.21 миллиона, что на 10% больше, чем годом ранее, а продажи электромобилей в Китае составили 1.206 миллиона, что на 4.0% меньше, чем годом ранее.

В ноябре 2020 года производство и продажи автомобилей на новых источниках энергии составили 198 000 и 200 000 единиц соответственно, что на 75.1% и 104.9% больше, чем годом ранее. С января по ноябрь 2020 года производство и продажи автомобилей на новых источниках энергии составили 1.119 млн и 1.109 млн единиц соответственно, при этом объем производства снизился на 0.1% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, а продажи выросли на 3.9% по сравнению с прошлым годом.

По прогнозам BloombergNEF, к 2025 году общее количество автомобилей на новых источниках энергии в мире достигнет 11 миллионов, при этом на Китай придется 50%. Ожидается, что к 2030 году их число достигнет 28 миллионов, а к 2040 году — 56 миллионов. К тому времени на электромобили будет приходиться 57% всех продаж новых автомобилей.

Производство автомобильных силовых полупроводников — сложная и высококонцентрированная отрасль, где европейские и американские производители обладают основными преимуществами. В 2019 году мировой рынок автомобильных полупроводников достиг 37.2 млрд долларов США. Компания Infineon заняла первое место с долей рынка в 13.4%, а на долю пяти крупнейших компаний в совокупности пришлось 49.1%. Крупнейшей в мире компанией в сфере автомобильных силовых полупроводников является Infineon с долей рынка в 25.5%. Вторая по величине компания — STMicroelectronics с долей рынка в 13.9%. На долю пяти крупнейших компаний приходится в общей сложности 62.1%, что указывает на высокую степень концентрации.

Компания Star Semiconductor стремительно развивается. Китайский автомобильный сектор имеет слабую основу и медленное развитие в области автомобильных силовых полупроводников. Однако в последние годы в Китае наблюдается стремительное развитие электромобилей, что также стимулирует развитие индустрии IGBT. Согласно данным Zos Automotive Research, по данным о продажах, в 2019 году Infineon заняла первое место в Китае на рынке IGBT для электромобилей, занимая 49.3%, за ней следует BYD, которая в основном поставляет собственную продукцию, с долей в 20%, а Star Semiconductor заняла третье место с долей рынка в 16.6%.

3.3 Промышленное управление, возобновляемая энергетика, преобразователи частоты для бытовой техники и другие области способствуют стабильному росту рынка IGBT-транзисторов.

В индустрии управления питанием все чаще используются силовые полупроводниковые приборы. В будущем ключевыми областями быстрого роста силовых полупроводниковых приборов станут промышленное управление, новые источники энергии, бытовая техника с регулируемой частотой, центры обработки данных, 5G, Интернет вещей и другие отрасли, а спрос на IGBT-транзисторы будет продолжать расти.

3.3.1 Промышленное управление является крупнейшей областью применения IGBT, спрос на которую неуклонно растет.

Модули IGBT являются ключевыми компонентами в традиционных отраслях промышленного управления и электропитания, таких как частотные преобразователи и инверторные сварочные аппараты, и широко используются в этой области. По мере постепенного восстановления рынков промышленного управления и электропитания ожидается, что объем рынка модулей IGBT в этой области также будет постепенно расти.

1) Индустрия преобразователей частоты: модули IGBT не только выполняют роль традиционных транзисторов в преобразователях частоты, но и включают в себя выпрямительную часть. Синусоидальный сигнал, генерируемый контроллером, изолируется с помощью оптической связи и затем поступает в IGBT. IGBT преобразует выпрямленный постоянный ток напряжением 380 В (220 В) в переменный ток для вывода на выходе в соответствии с изменением сигнала.

Объем рынка частотных преобразователей в моей стране в целом растет. Частотные преобразователи вошли в сферу новых источников энергии и будут демонстрировать устойчивый рост в таких отраслях промышленности, как металлургия, угольная промышленность и нефтехимия. На фоне растущих темпов урбанизации спрос на частотные преобразователи в коммунальном секторе, таком как муниципальное управление и железнодорожный транспорт, будет продолжать расти, способствуя расширению рынка. В ближайшие несколько лет рынок высоковольтных инверторов с высокоэффективными и энергосберегающими функциями будет продолжать расти благодаря проводимой политике. К 2023 году объем рынка высоковольтных инверторов достигнет примерно 17.5 млрд юаней.

2) Индустрия инверторных сварочных аппаратов: Инверторный источник питания для дуговой сварки, также известный как инвертор для дуговой сварки, представляет собой новый тип источника питания для сварки. Этот тип источника питания обычно преобразует трехфазное переменное напряжение сети (50 Гц) в постоянный ток посредством выпрямления и фильтрации на входном выпрямителе, а затем преобразует его в переменное напряжение промежуточной частоты от нескольких тысяч до десятков тысяч герц посредством переменного переключения мощных электронных компонентов (IGBT). В то же время, оно понижается до напряжения в десятки вольт, подходящего для сварки, с помощью трансформатора, а затем снова выпрямляется и фильтруется реактивным резистором для получения достаточно стабильного постоянного сварочного тока.

Согласно данным Национального статистического бюро, производство электросварочных аппаратов в нашей стране в 2018 году составило 8.533 миллиона единиц, что на 584 600 единиц больше, чем в 2017 году. Продолжающийся рост рынка сварочных аппаратов также обеспечит постепенное увеличение спроса на IGBT-транзисторы.

3.3.2 Фотоэлектрическая и ветроэнергетика быстро развиваются, и IGBT-транзисторы приветствуют новые факторы роста.

Поскольку выработка электроэнергии за счет возобновляемых источников энергии не соответствует требованиям сети, ее необходимо преобразовывать в постоянный ток с помощью фотоэлектрического или ветроэнергетического инвертора, а затем преобразовывать в переменный ток, соответствующий требованиям сети, перед подачей в сеть. Модули IGBT являются основными компонентами фотоэлектрических и ветроэнергетических инверторов. Быстрое развитие отрасли генерации электроэнергии за счет возобновляемых источников энергии станет еще одной движущей силой для дальнейшего роста отрасли модулей IGBT. В 2015 году мировая выработка электроэнергии составила 6414 ГВт, и ожидается, что к 2025 году она достигнет 8647 ГВт, при этом среднегодовой темп роста за 10 лет составит 3.0%, причем наиболее быстрый темп роста будет наблюдаться в сфере генерации электроэнергии за счет возобновляемых источников энергии – 5.9%. При дальнейшем анализе темпы роста выработки солнечной и ветровой энергии выше, чем среднегодовой темп роста выработки возобновляемой энергии, а среднегодовой темп роста выработки солнечной энергии за 15-25 лет составляет 16.4%, что значительно выше среднего темпа роста отрасли. С региональной точки зрения, ветровая энергетика быстро развивается в Китае, Европе и США, в то время как солнечная энергетика быстро развивается в Китае, Европе, США и других регионах Азиатско-Тихоокеанского региона.

Ветроэнергетика: Ветроэнергетика активно развивается в основном в Китае и США. В среднесрочной и долгосрочной перспективе производство электроэнергии за счет ветроэнергетики стабильно растет. По сравнению с тепловой энергетикой, спрос на полупроводники на 1 МВт мощности ветроэлектростанций в 30 раз выше, чем на тепловую. Мощность ветротурбин составляла 1.5 МВт в 2011 году и выросла до 2-3 МВт в 2017 году. Стабильный рост производства электроэнергии за счет ветроэнергетики создаст новые потребности в силовых полупроводниках.

Солнечная энергетика: IHS прогнозирует, что совокупный темп роста спроса на модули IGBT для солнечной энергетики составит 9.0% в период с 2016 по 2021 год. Для эффективного удовлетворения потребностей в экологически чистой солнечной энергетике и подключения инверторов к сети требуется правильное сочетание управляющих, драйверных и выходных силовых устройств. IGBT является неизбежным выбором в качестве силового переключателя, а фотоэлектрические инверторы также войдут в первую партию устройств на основе SiC, что значительно повысит ценность IGBT.

Китайские производители фотоэлектрических инверторов находятся на подъеме, и IGBT-транзисторы также набирают популярность. В настоящее время местные производители, в основном Huawei и Sungrow, продолжают совершать прорывы на рынке фотоэлектрических инверторов. Согласно статистике SolarEdge, в 2018 году доля Huawei на мировом рынке инверторов достигла 22%, заняв первое место в мире по доле рынка, а доля Sungrow составила 15%, заняв второе место в мире. Особенно на рынке трехфазных стринговых инверторов доля Huawei в 2017 году достигла 56%, что свидетельствует о значительном рыночном преимуществе. Быстрое развитие китайских производителей фотоэлектрических инверторов принесло значительные преимущества локализации в плане замены отечественных IGBT-транзисторов.

3.3.3. Внедрение преобразователей частоты в бытовую технику по всему миру ускоряется, и IGBT-транзисторы имеют хорошие перспективы для развития.

Модуль IGBT является основным компонентом инвертора для бытовой техники с регулируемой частотой. Функция высокочастотного открытия и закрытия IGBT обеспечивает следующие преимущества: 1. Малые потери проводимости и потери при переключении; 2. Отличные электромагнитные характеристики, которые можно обеспечить, изменяя размер управляющего резистора, при этом потери при переключении остаются в разумных пределах; 3. Высокая устойчивость к короткому замыканию; 4. Малые скачки напряжения (для защиты бытовой техники). Будучи крупнейшим в мире рынком бытовой техники и производственной базой, Китай также развивает масштабный рынок IGBT. Взяв в качестве примера индустрию кондиционирования воздуха, можно сказать, что Китай, как крупнейший в мире рынок бытовой техники и производственная база, также развивает масштабный рынок IPM.

Бытовая техника с частотным преобразователем может значительно экономить энергию. По сравнению с традиционными бытовыми приборами, приборы с регулируемой частотой обладают очевидными преимуществами с точки зрения энергоэффективности, производительности и интеллектуального управления. В последние годы бытовая техника с частотным преобразователем находится на стадии всестороннего развития и в основном используется в кондиционерах, микроволновых печах, холодильниках, водонагревателях и других приборах, потребляющих большое количество электроэнергии. Например, по сравнению с холодильниками без регулируемой частоты, холодильники с регулируемой частотой имеют более длительный срок службы, меньше шума и позволяют сэкономить до 40% энергии.

Прогнозируется, что к 2022 году доля бытовой техники с частотным преобразователем в общем объеме продаж составит 65%. Согласно статистике IHS, в 2017 году объем продаж бытовой техники в мире составил приблизительно 711 миллионов единиц, из которых 467 миллионов были устройствами без частотного преобразователя (66%), а количество устройств с частотным преобразователем — 244 миллиона единиц (34%). Ожидается, что к 2022 году объем продаж бытовой техники с частотным преобразователем достигнет 585 миллионов единиц (65%), а среднегодовой темп роста продаж с 17 по 22 год составит 19.1%, в то время как объем продаж бытовой техники без частотного преобразователя снизится до 317 миллионов единиц (35%).

Стоимость полупроводниковых компонентов для силовых приборов с частотным преобразователем значительно возросла. Быстрый рост объемов производства бытовых приборов с регулируемой частотой приведет к значительному увеличению стоимости полупроводников на единицу бытовой техники. Компания Infineon прогнозирует, что стоимость полупроводников вырастет с 0.7 евро для бытовых приборов без регулируемой частоты до 9.5 евро. Увеличение стоимости полупроводников в основном касается силовых полупроводниковых компонентов. Предполагая, что средняя стоимость полупроводниковых компонентов для бытовых приборов с регулируемой частотой составляет 9.5 евро, ожидается, что рынок полупроводников для бытовой техники вырастет с 2.645 млрд евро в 2017 году до 2.645 млрд евро в 2022 году, что составит 5.779 млрд юаней, при среднегодовом темпе роста 16.9% в период с 17 по 22 год.

Согласно данным IHS, объем рынка полупроводниковых компонентов для бытового электропитания, как ожидается, вырастет с 1.44 млрд долларов США в 2017 году до 2.67 млрд долларов США в 2021 году, при среднегодовом темпе роста 1%.

В условиях активного продвижения глобальных мер по энергосбережению и защите окружающей среды, доля использования преобразователей частоты в бытовой технике будет постепенно расти, и силовые полупроводники, как основные компоненты преобразователей частоты, получат от этого значительную выгоду.

3.4 Рост в различных областях: ожидается, что среднегодовой темп роста IGBT-модулей для автомобилей составит 23.5% в период с 2018 по 2023 год.

Объем мирового рынка IGBT-транзисторов в 2018 году достиг 6.21 млрд долларов США. По данным IHS, объем мирового рынка IGBT-транзисторов в 2017 году составил 5.255 млрд долларов США, что на 16.5% больше, чем в 2016 году. В 2018 году объем мирового рынка IGBT-транзисторов составил приблизительно 6.21 млрд долларов США.

4. В связи с ростом спроса на электромобили, карбид кремния открывает новые возможности для развития.

4.1 Превосходные характеристики, третье поколение полупроводников появилось в исторический момент.

Полевые транзисторы на основе SiC и GaN преодолели пределы производительности, и модернизация технологий крайне необходима: по сравнению с полупроводниковыми материалами первого и второго поколений, полупроводниковые материалы третьего поколения обладают широкой запрещенной зоной, высоким электрическим полем пробоя, высокой теплопроводностью, высокой скоростью насыщения электронов и более высокой радиационной стойкостью, и поэтому больше подходят для создания высокотемпературных, высокочастотных, радиационно-стойких и мощных устройств. В стремлении к уменьшению размеров устройств и повышению производительности производители силовых устройств постепенно продвигают технологические решения следующего поколения для полевых транзисторов на основе SiC и GaN. Например: 1) полевые транзисторы на основе SiC обладают высокостабильной кристаллической структурой по сравнению с полевыми транзисторами на основе кремния, и рабочая температура может достигать 600 °C; 2) напряженность поля пробоя SiC более чем в десять раз выше, чем у кремния, поэтому напряжение блокировки полевых транзисторов на основе SiC выше; 3) потери проводимости SiC значительно меньше, чем у кремниевых устройств, и они очень мало изменяются с температурой; 4) Теплопроводность SiC почти в 2.5 раза выше, чем у кремния. Скорость дрейфа электронов в насыщенном состоянии в 2 раза выше, чем у кремния, поэтому устройства на основе SiC могут работать на более высоких частотах.

Карбид кремния (SiC) в основном используется в бытовой технике, возобновляемой энергетике (электромобили, ветроэнергетика, фотовольтаика), промышленности и т. д.

4.2 Ожидается, что карбид кремния сыграет важную роль в области электромобилей.

Что касается автомобильных применений, то SiC MOSFET, очевидно, превосходит их по характеристикам, что позволяет снизить потери, уменьшить объем и вес модуля. IGBT превосходит их по надежности и отказоустойчивости. Устройства на основе карбида кремния используются в системах зарядки транспортных средств и системах преобразования энергии, что позволяет эффективно снизить потери при переключении, повысить предельную рабочую температуру и улучшить эффективность системы.

Модель 3 стала первой, в которой использовался SiC MOSFET, положив начало применению SiC в электромобилях.

Инверторный модуль Tesla стал первым, в котором использовались 24 кремнийкарбидных (SiC) MOSFET-транзистора, предоставленных компанией STMicroelectronics. Позже Infineon также стала поставщиком силовых полупроводников на основе SiC для Tesla. Весь силовой модуль состоит из однотрубных модулей, использующих стандартную 6-ключевую топологию инвертора. Каждый ключ состоит из 4 однотрубных модулей, всего 24 однотрубных модуля. Устройство имеет выдерживаемое напряжение 650 В. Конструкция однотрубного SiC-модуля в Model 3 соответствует использованию в Model S/X идей однотрубных IGBT-транзисторов Infineon. Преимущество заключается в возможности масштабируемости на разных уровнях мощности, а также в повышении выхода годных модулей и снижении стоимости полупроводниковых устройств.

Компания BYD Han использует SiC MOSFET для улучшения характеристик ускорения, мощности и выносливости.

В 2020 году в контроллере двигателя электромобиля Han от BYD впервые был использован разработанный и изготовленный компанией BYD модуль управления на основе SiC MOSFET, что значительно улучшило характеристики двигателя.

Карбид кремния обладает хорошими характеристиками ускорения. Наиболее очевидным преимуществом широкой запрещенной зоны является более высокая прочность на пробой, что означает способность выдерживать высокое напряжение и, следовательно, контролировать более высокое системное напряжение. BYD Han может использовать платформу напряжения 650 В, что также обусловлено использованием карбида кремния. Высокое напряжение означает низкий ток, что снижает потери в резисторах оборудования. Для проектирования двигателя также проще достичь большей мощности при малых размерах. Поэтому BYD Han легко достигает разгона от 0 до 100 км/ч за 3.9 секунды.

Карбид кремния обеспечивает высокую вероятность срабатывания и длительный срок службы батареи. Помимо преимуществ, обусловленных широкой запрещенной зоной, карбид кремния обладает двумя основными преимуществами: более высокой скоростью насыщения электронов и более высокой теплопроводностью и термостойкостью. Насыщенные электроны движутся быстро, что означает, что они могут пропускать большие токи. Скорость насыщения электронов в карбиде кремния вдвое выше, чем в кремнии. Поэтому при проектировании устройства проще согласовать интенсивность тока с током насыщения, что позволяет добиться более низкого сопротивления во включенном состоянии. Это снижает потери мощности, помогает уменьшить нагрев устройства и упрощает конструкцию системы теплоотвода. Особенно в условиях мгновенного высокого тока снижается накопление тепла в оборудовании, а повышенная термостойкость и более высокая теплопроводность самого материала облегчают рассеивание тепла. Кроме того, устройство может взорваться с большей мощностью. Именно поэтому BYD Han может достигать мощности 363 кВт. Использование фосфата лития-железа позволяет достичь дальности хода в 605 километров, что, очевидно, также обусловлено применением карбида кремния.

В автомобиле Toyota Mirai на топливных элементах используются модули из карбида кремния.

Компания Denso начала серийное производство нового поколения повышающих силовых модулей, оснащенных силовыми полупроводниками на основе карбида кремния (SiC), которые будут использоваться в автомобиле Toyota Mirai на топливных элементах. Силовые модули SiC от Denso и Toyota уже используются в гибридных автомобилях, автобусах на топливных элементах и ​​легковых автомобилях на топливных элементах. В новом Mirai основной компонент твердотельного топливного элемента следующего поколения, Toyota FC Stack, работает в паре с повышающим преобразователем на топливных элементах, использующим несколько силовых полупроводников SiC. Функция повышающего преобразователя заключается в выдаче напряжения выше входного.

Размер силового модуля уменьшен на 30%, а потери снижены на 70%. По расчетам Denso, по сравнению с продуктами, использующими силовые полупроводники на основе Si, новый повышающий силовой модуль, оснащенный силовыми полупроводниками на основе SiC (включая диоды и транзисторы), примерно на 30% меньше по размеру и снижает потери примерно на 70%. Это позволяет добиться миниатюризации силового модуля при одновременном повышении топливной эффективности автомобиля.

Новый Mirai, оснащенный модулями SiC, имеет на 30% больший запас хода. Toyota заявила, что использование полупроводников SiC в повышающем трансформаторе топливных элементов и низковольтных литий-ионных батарей позволяет снизить потери энергии в системе. Одновременно с этим, за счет повышения производительности топливных элементов, повышается эффективность выработки электроэнергии благодаря технологии активного управления регенерацией катализатора. В результате Toyota достигла максимального запаса хода около 850 км в режиме WLTC нового Mirai, что примерно на 30% больше, чем у модели предыдущего поколения.

4.3 Прогнозируется, что объем производства силовых устройств на основе карбида кремния превысит 10 миллиардов долларов США к 2027 году.

Прогнозируется, что объем рынка силовых устройств на основе карбида кремния превысит 10 миллиардов долларов США к 2027 году. В 2018 году объем рынка силовых устройств на основе карбида кремния составлял приблизительно 390 миллионов долларов США. Благодаря огромному спросу на электромобили, энергетическое оборудование и другие отрасли, IHS прогнозирует, что объем рынка силовых устройств на основе карбида кремния превысит 10 миллиардов долларов США к 2027 году. Начиная с 2021 года, благодаря развитию электромобилей, SiC MOSFET будет продолжать быстро расти и станет самым продаваемым дискретным силовым устройством на основе карбида кремния.

5. Более 80% силовых полупроводниковых компонентов импортируются, и отечественные компании пытаются наверстать упущенное.

5.1 Европейские, американские и японские компании обладают очевидными преимуществами в области силовых полупроводников.

Согласно статистике Infineon, объем мирового рынка силовых полупроводниковых устройств и модулей в 2019 году составил 21 миллиард долларов США. В Европе, США и Японии наблюдалась тенденция к увеличению доли рынка. Infineon заняла первое место с 19%, за ней следует ON Semiconductor с 8.4%. Суммарная доля рынка десяти ведущих компаний составила 58.3%.

В 2019 году объем мирового рынка MOSFET-транзисторов достиг 8.1 млрд долларов США. Компания Infineon заняла первое место с абсолютным преимуществом, получив долю рынка в 24.6%, а доля рынка пяти ведущих компаний составила 59.8%. Nexperia Semiconductor, приобретенная Wingtech, и China Resources Microelectronics, выросшая в Китае, вошли в десятку лидеров, заняв 4.1% и 3.0% рынка соответственно.

В 2019 году объем рынка IGBT-модулей составил 3.31 миллиарда долларов США. Компания Infineon заняла первое место с долей рынка в 35.6%, а на долю пяти ведущих компаний пришлось 68.8% всего рынка. Star Semiconductor, ведущая китайская компания по производству IGBT-модулей, в последние годы быстро развивалась и вошла в десятку лидеров. В 2019 году она заняла восьмое место с долей рынка в 2.5%.

В 2019 году объем рынка дискретных IGBT-транзисторов составил 1.44 миллиарда долларов США. Компания Infineon заняла первое место с долей рынка в 32.5%. На долю пяти ведущих компаний пришлось 63.9% рынка. Китайский производитель Silan Micro вошел в десятку лидеров с долей рынка в 2.2%.

В 2019 году объем рынка интегрированных микросхем (IPM) составил 1.59 миллиарда долларов США. Первое место заняла японская компания Mitsubishi с долей рынка в 32.7%. На долю пяти ведущих компаний пришлось 76.9% рынка. Китайские производители Silan Microelectronics и China Microelectronics вошли в десятку лидеров с долями рынка в 1.1% и 0.8% соответственно.

5.2 Китайские компании, занимающиеся производством силовых полупроводников, наверстывают упущенное и вступают в период стремительного развития.

Китай — крупнейший в мире рынок силовых полупроводников. Значительная часть выручки ведущих международных компаний поступает из Китая. Например, Dal Technology и NXP получают более 50% и 40% своей выручки соответственно из материкового Китая. Китай — крупная страна по производству электромобилей. На долю IGBT-транзисторов Infineon приходится более 60% китайского рынка электромобилей. Как видно, на рынке силовых полупроводников в нашей стране огромный спрос, и у местных производителей есть большие возможности для импортозамещения.

Уровень самообеспеченности Китая IGBT-транзисторами продолжает расти. По данным Zhiyan Consulting, с 2015 года уровень самообеспеченности нашей страны IGBT-транзисторами превысил 10% и постепенно увеличивается. Прогнозируется, что уровень самообеспеченности вырастет с 10.1% в 2015 году до 18.4% в 2020 году. Ожидается, что объем производства IGBT-транзисторов в нашей стране достигнет 78 миллионов единиц в 2024 году, при этом спрос составит приблизительно 196 миллионов единиц, а уровень самообеспеченности достигнет 40%. В целом, в нашей стране по-прежнему существует огромный разрыв между спросом и предложением IGBT-транзисторов, и «замещение отечественными технологиями» станет важным направлением развития отрасли в будущем.

Производство силовых полупроводниковых изделий среднего и высокого ценового сегмента зависит от зарубежных рынков. Китайские компании, такие как BYD, Huawei, CRRC и Sungrow, являются ведущими мировыми потребителями силовых полупроводников. Однако эти компании по-прежнему в значительной степени зависят от зарубежных поставщиков, таких как Infineon, Fuji Electric и Mitsubishi Electric, в вопросах закупки силовых полупроводников. Китай является крупнейшим рынком электромобилей и гибридных автомобилей, но зарубежные цепочки поставок по-прежнему обеспечивают большинство систем в Китае модулями силовых полупроводников. На мировом рынке силовых полупроводников производители продукции среднего и высокого ценового сегмента в основном сосредоточены в Европе, США и Японии. Большинство производителей силовых полупроводников в Европе, США и Японии являются независимыми производителями (IDM). Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Mitsubishi, Toshiba и др. являются ведущими компаниями в отрасли. Тайвань, Китай, также является относительно крупным производителем силовых полупроводников. Большинство производителей являются компаниями без собственных производственных мощностей (Fabless), и их продукция в основном сосредоточена в нижнем ценовом сегменте. На рынок силовых полупроводников моей страны приходится около 36% мирового спроса. В сегменте товаров премиум-класса около 80% приходится на импорт.

Китайская полупроводниковая промышленность быстро развивается. Производители полупроводников в моей стране в основном работают по модели IDM, и производственная цепочка относительно полная. Продукция в основном сосредоточена в низкобюджетных областях, таких как диоды, низковольтные МОП-транзисторы и тиристоры. IGBT-транзисторы постепенно совершили прорыв. Технология производства зрелая и имеет ценовые преимущества. Рентабельность ведущих компаний в отрасли намного выше, чем у производителей на Тайване и в Китае. В областях высокотехнологичной продукции, таких как возобновляемая энергетика, электроэнергетика и железнодорожный транспорт, лишь немногие отечественные производители обладают производственными мощностями. Рынок высокотехнологичной продукции в основном монополизирован европейскими, американскими и японскими производителями, такими как Infineon, ON Semiconductor, Renesas и Toshiba.

В настоящее время внутренний и внешний рынки IGBT-транзисторов по-прежнему в основном заняты иностранными компаниями. Отечественные компании, занимающиеся производством IGBT-транзисторов, во главе со Star Semiconductor, быстро развиваются, постепенно совершая прорывы в областях промышленного управления, электромобилей, ветроэнергетики, фотовольтаики, электроэнергетики и высокоскоростных железных дорог, и постоянно увеличивают свою долю. В 2019 году, по объему поставок, наибольшую долю рынка IGBT-транзисторов для электромобилей в Китае занимала компания Infineon с долей 49.3%, за ней следовала BYD с 20% (в основном за счет собственных ресурсов), Star Semiconductor занимала третье место с долей 16.6%. Star Semiconductor обладает высокой степенью самообеспеченности чипами в области IGBT-транзисторов для электромобилей, превышающей 90%.

На рынке силовых полупроводников моей страны местные производители начали замещать импорт в сегменте недорогих товаров. Nexperia, Star Semiconductor, China Resources Micro, Xinjie Neng, Lion Micro, China Microelectronics, Yangjie Technology, Silan Micro, Sanan Optoelectronics, Jiejie Microelectronics и другие, приобретенные компанией Wingtech Technology, являются высококачественными предприятиями в отрасли, но их рыночная доля все еще низка.

6. Оптимистично настроен в отношении лидеров отраслевого сегмента.

В настоящее время цепочка поставок силовых полупроводников в стране становится все более совершенной, и технологии также совершают прорывы. Китай является крупнейшим в мире потребителем силовых полупроводников, на его долю в 2019 году приходилось 35.9% мирового спроса, и темпы роста значительно выше, чем в мире. В будущем, с учетом спроса на новые источники энергии (электромобили, фотоэлектрические системы, ветроэнергетика), промышленное управление, бытовую технику с частотным преобразователем, оборудование для Интернета вещей и т. д., темпы роста спроса в Китае будут продолжать превышать мировые, и отрасль будет стабильно расти. Что касается замещения отечественной продукции, мы с оптимизмом смотрим на лидеров в сегментированных отраслях: Star Semiconductor, China Resources Micro, Hua Hong Semiconductor, Silan Micro, New Clean Energy, Leon Micro, Sanan Optoelectronics, Wingtech Technology и CRRC Times Electric.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.