Наши преимущества
- Два NPN-транзистора в одном компактном корпусе, что экономит место на печатной плате и снижает стоимость комплектующих.
- Высокое номинальное напряжение до 160 В для применения в высоковольтных цепях.
- Низкое напряжение насыщения и низкий уровень шума для высокоэффективного усиления
- Сверхмалый корпус SOT-363 идеально подходит для проектирования печатных плат с высокой плотностью размещения компонентов.
- Эпитаксиальная планарная кристаллическая матрица обеспечивает стабильную работу и высокую однородность результатов.
- Дополняет MMDT5401 для проектирования двухтактных схем.
- Широкий диапазон рабочих температур для промышленного и бытового применения.
Описание
MMDT5551 — это двойной NPN эпитаксиальный планарный транзистор Размещен в корпусе для поверхностного монтажа SOT-363. Предназначен для усиления средней мощности и высоковольтных коммутационных приложений. Благодаря напряжению коллектор-эмиттер 160 В и высокой частоте перехода, обеспечивает надежную работу в компактном электронном оборудовании. Маркировка: K4N.
ФУНКЦИИ И ОСОБЕННОСТИ
- Двойной NPN-транзистор (2 NPN-транзистора в одном корпусе)
- Эпитаксиальная плоская конструкция матрицы
- Сверхмалый корпус для поверхностного монтажа SOT-363
- Высокое напряжение: VCEO = 160 В, VCBO = 180 В
- Низкое напряжение насыщения VCE(sat)
- Низкий коэффициент шума (НЧ)
- Частота перехода: fT = 100–300 МГц
- Коэффициент усиления по постоянному току: hFE = 80–300
- Рассеиваемая мощность: PC = 0.2 Вт
- Температура перехода: от −55℃ до +150℃
- Дополнение к MMDT5401
Области применения
- Усиление высоковольтного сигнала
- Схемы переключения средней мощности
- Аудиооборудование и модули драйверов
- Промышленные системы управления
- Бытовая электроника
- Схемы печатных плат высокой плотности
- Портативные электронные устройства