Service-Hotline
Produkte
Produkte
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Der MMDT5551 ist ein planarer Doppel-NPN-Epitaxialtransistor im SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für Anwendungen in der Mittelleistungsverstärkung und im Hochspannungsschalten konzipiert. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 160 V und einer hohen Schaltfrequenz bietet er zuverlässigen Betrieb in kompakten elektronischen Geräten. Kennzeichnung: K4N.
Unsere Vorteile
- Zwei NPN-Transistoren in einem kompakten Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte und Kosten für die Stückliste.
- Hohe Nennspannung bis zu 160 V für Hochspannungsschaltungen
- Niedrige Sättigungsspannung und geringes Rauschen für hocheffiziente Verstärkung
- Ultrakleines SOT-363-Gehäuse, ideal für hochdichte SMT-Bauweise
- Epitaxialer Planarchip für stabile Leistung und gute Konsistenz
- Ergänzend zu MMDT5401 für Push-Pull-Schaltungsdesign
- Breiter Betriebstemperaturbereich für industrielle und private Anwendungen
Beschreibung
MMDT5551 ist ein dualer NPN-Epitaxial-Planartransistor Das Bauteil ist im SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht und für Anwendungen in der Mittelleistungsverstärkung und Hochspannungsschaltung ausgelegt. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 160 V und einer hohen Schaltfrequenz bietet es zuverlässige Leistung in kompakten elektronischen Geräten. Kennzeichnung: K4N.
Funktionen
- Doppel-NPN-Transistor (2 NPN in 1 Gehäuse)
- Epitaktische Planarchipkonstruktion
- SOT-363 ultra-kleines Oberflächenmontagegehäuse
- Hochspannung: VCEO = 160 V, VCBO = 180 V
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat)
- Niedriges Rauschmaß (NF)
- Übergangsfrequenz: fT = 100–300 MHz
- Gleichstromverstärkung: hFE = 80–300
- Verlustleistung: PC = 0.2 W
- Sperrschichttemperatur: −55℃ bis +150℃
- Ergänzend zu MMDT5401
Anwendungen
- Hochspannungssignalverstärkung
- Mittelleistungs-Schaltkreise
- Audiogeräte und Treibermodule
- Industrielle Steuerungssysteme
- Unterhaltungselektronik
- Hochdichte Leiterplatten
- Tragbare elektronische Geräte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMBT2907AT PNP-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
Hilfe benötigt? Scannen Sie den Code mit Ihrem Telefon, um auf WhatsApp zu chatten.
粤公网安备44030002007346号