I nostri vantaggi
- Doppio transistor NPN in un unico package compatto, con conseguente risparmio di spazio sul PCB e riduzione dei costi della distinta base.
- Tensione nominale elevata fino a 160 V per applicazioni in circuiti ad alta tensione.
- Bassa tensione di saturazione e basso rumore per un'amplificazione ad alta efficienza
- Contenitore SOT-363 ultra-compatto, ideale per la progettazione SMT ad alta densità.
- Matrice planare epitassiale per prestazioni stabili e buona uniformità
- Complementare al MMDT5401 per la progettazione di circuiti push-pull
- Ampio intervallo di temperature di esercizio per uso industriale e di consumo.
Descrizione
MMDT5551 è un transistor planare epitassiale NPN doppio Alloggiato nel contenitore SOT-363 per montaggio superficiale. È progettato per applicazioni di amplificazione di media potenza e commutazione ad alta tensione. Con una tensione collettore-emettitore di 160 V e un'elevata frequenza di transizione, offre prestazioni affidabili in apparecchiature elettroniche compatte. Marcatura: K4N.
CARATTERISTICHE
- Transistor NPN doppio (2 NPN in 1 contenitore)
- Costruzione di uno stampo planare epitassiale
- Contenitore SOT-363 ultra-compatto per montaggio superficiale
- Alta tensione: VCEO = 160V, VCBO = 180V
- Bassa tensione di saturazione VCE(sat)
- Basso fattore di rumore (NF)
- Frequenza di transizione: fT = 100–300 MHz
- Guadagno di corrente continua: hFE = 80–300
- Dissipazione di potenza: PC = 0.2 W
- Temperatura di giunzione: da −55℃ a +150℃
- Complementare al corso MMDT5401
Applicazioni
- Amplificazione del segnale ad alta tensione
- Circuiti di commutazione di media potenza
- Apparecchiature audio e moduli driver
- Sistemi di controllo industriale
- Elettronica di consumo
- Circuiti PCB ad alta densità
- Dispositivi elettronici portatili