Ürünler
Ürünler
FDN337N N-Kanal Geliştirme MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET teknolojisi

● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı

● Yüksek Hızlı anahtarlama

Açıklama

Bu N-Kanal MOSFET, çeşitli elektronik uygulamalarda yüksek performans sağlamak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 30V drenaj kaynağı voltajına (Vdss) ve 2.2A sürekli drenaj akımına (Id) sahiptir. 0.5W güç dağıtımı (Pd) derecesine sahip bu MOSFET, düşük güç tüketimini korurken güvenilir çalışma sağlar.


Özellikler

● Trench Power LV MOSFET teknolojisi

● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı

● Yüksek Hızlı anahtarlama


Uygulama

● Pil koruması

● Yük anahtarı

● Güç yönetimi


İsim
Başlık
Açıklama
Veri Sayfası
Destek

Destek

 

Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.

Ömür

 

Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950