servis Hattı
● Trench Power LV MOSFET teknolojisi
● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı
● Yüksek Hızlı anahtarlama
Açıklama
Bu N-Kanal MOSFET, çeşitli elektronik uygulamalarda yüksek performans sağlamak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 30V drenaj kaynağı voltajına (Vdss) ve 2.2A sürekli drenaj akımına (Id) sahiptir. 0.5W güç dağıtımı (Pd) derecesine sahip bu MOSFET, düşük güç tüketimini korurken güvenilir çalışma sağlar.
Özellikler
● Trench Power LV MOSFET teknolojisi
● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı
● Yüksek Hızlı anahtarlama
Uygulama
● Pil koruması
● Yük anahtarı
● Güç yönetimi
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.
Ömür
Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.















