製品
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FDN337N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23

● トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー

● 低RDS(ON)を実現する高密度セル設計

●高速スイッチング

詳細説明

この N チャネル MOSFET は、さまざまな電子アプリケーションで高いパフォーマンスを発揮するように設計されています。最大ドレイン ソース電圧 (Vdss) は 30V、連続ドレイン電流 (Id) は 2.2A です。この MOSFET は、電力消費 (Pd) 定格が 0.5W で、低消費電力を維持しながら信頼性の高い動作を実現します。


特長

● トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー

● 低RDS(ON)を実現する高密度セル設計

●高速スイッチング


用途

●バッテリー保護

●ロードスイッチ

● 電源管理


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サポート

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