Producten
Producten
FDN337N N-kanaalverbetering MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET-technologie

● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)

● Hogesnelheidsschakeling

Beschrijving

Deze N-kanaal MOSFET is ontworpen om hoge prestaties te leveren in verschillende elektronische toepassingen. Het beschikt over een maximale drain-source-spanning (Vdss) van 30V en een continue drain-stroom (Id) van 2.2A. Met een vermogensdissipatie (Pd) van 0.5 W biedt deze MOSFET een betrouwbare werking met behoud van een laag stroomverbruik.


Kenmerken

● Trench Power LV MOSFET-technologie

● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)

● Hogesnelheidsschakeling


Toepassing

● Batterijbescherming

● Lastschakelaar

● Energiebeheer


Naam
Onderwerp
Beschrijving
Data papier
Support

Support

 

Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.

Duurzaamheid

 

Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons ​​levensduurprogramma hier.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950