hotline
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Beschrijving
Deze N-kanaal MOSFET is ontworpen om hoge prestaties te leveren in verschillende elektronische toepassingen. Het beschikt over een maximale drain-source-spanning (Vdss) van 30V en een continue drain-stroom (Id) van 2.2A. Met een vermogensdissipatie (Pd) van 0.5 W biedt deze MOSFET een betrouwbare werking met behoud van een laag stroomverbruik.
Kenmerken
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Toepassing
● Batterijbescherming
● Lastschakelaar
● Energiebeheer
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















