Hotline
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Description
Ce MOSFET à canal N est conçu pour offrir des performances élevées dans diverses applications électroniques. Il présente une tension drain-source maximale (Vdss) de 30 V et un courant de drain continu (Id) de 2.2 A. Avec une puissance dissipée (Pd) de 0.5 W, ce MOSFET offre un fonctionnement fiable tout en maintenant une faible consommation d'énergie.
Fonctionnalité
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Application
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















