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MOSFET SOT-337 d'amélioration du canal N FDN23N

● Technologie MOSFET BT Trench Power

● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)

● Commutation haute vitesse

Description

Ce MOSFET à canal N est conçu pour offrir des performances élevées dans diverses applications électroniques. Il présente une tension drain-source maximale (Vdss) de 30 V et un courant de drain continu (Id) de 2.2 A. Avec une puissance dissipée (Pd) de 0.5 W, ce MOSFET offre un fonctionnement fiable tout en maintenant une faible consommation d'énergie.


Fonctionnalité

● Technologie MOSFET BT Trench Power

● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)

● Commutation haute vitesse


Application

● Protection de la batterie

● Interrupteur de charge

● Gestion de l'alimentation


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