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● Tecnología MOSFET LV de Trench Power
● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
● Conmutación de alta velocidad
Mareas Ideales para Lecciones
Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Tiene un voltaje de drenaje-fuente (Vdss) máximo de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 2.2 A. Con una potencia de disipación (Pd) nominal de 0.5 W, este MOSFET proporciona un funcionamiento fiable manteniendo un bajo consumo de energía.
Características
● Tecnología MOSFET LV de Trench Power
● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
● Conmutación de alta velocidad
Aplicación
● Protección de la batería
● interruptor de carga
● Gestión de energía
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















