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MOSFET SOT-337 de mejora de canal N FDN23N

● Tecnología MOSFET LV de Trench Power

● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)

● Conmutación de alta velocidad

Mareas Ideales para Lecciones

Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Tiene un voltaje de drenaje-fuente (Vdss) máximo de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 2.2 A. Con una potencia de disipación (Pd) nominal de 0.5 W, este MOSFET proporciona un funcionamiento fiable manteniendo un bajo consumo de energía.


Características

● Tecnología MOSFET LV de Trench Power

● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)

● Conmutación de alta velocidad


Aplicación

● Protección de la batería

● interruptor de carga

● Gestión de energía


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Mareas Ideales para Lecciones
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