servizio di Hotline
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)
● Commutazione ad alta velocità
Descrizione
Questo MOSFET a canale N è progettato per fornire prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Presenta una tensione drain-source massima (Vdss) di 30 V e una corrente di drain continua (Id) di 2.2 A. Con un valore di dissipazione di potenza (Pd) di 0.5 W, questo MOSFET fornisce un funzionamento affidabile mantenendo un basso consumo energetico.
Caratteristiche
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)
● Commutazione ad alta velocità
Applicazione
● Protezione della batteria
● Interruttore di carico
● Gestione dell'energia
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.















