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MOSFET di potenziamento a canale N FDN337N SOT-23

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)

● Commutazione ad alta velocità

Descrizione

Questo MOSFET a canale N è progettato per fornire prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Presenta una tensione drain-source massima (Vdss) di 30 V e una corrente di drain continua (Id) di 2.2 A. Con un valore di dissipazione di potenza (Pd) di 0.5 W, questo MOSFET fornisce un funzionamento affidabile mantenendo un basso consumo energetico.


Caratteristiche

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)

● Commutazione ad alta velocità


Applicazione

● Protezione della batteria

● Interruttore di carico

● Gestione dell'energia


Nome
Titolo
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