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FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)

● Comutação de alta velocidade

Descrição

Este MOSFET de canal N foi projetado para fornecer alto desempenho em várias aplicações eletrônicas. Ele apresenta uma tensão máxima de dreno-fonte (Vdss) de 30 V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 2.2 A. Com uma classificação de dissipação de energia (Pd) de 0.5 W, este MOSFET fornece operação confiável, mantendo baixo consumo de energia.


Diferenciais

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)

● Comutação de alta velocidade


Aplicação

● Proteção da bateria

● Chave de carga

● Gerenciamento de energia


Nome
Título
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Suporte

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