Linha de Apoio
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Descrição
Este MOSFET de canal N foi projetado para fornecer alto desempenho em várias aplicações eletrônicas. Ele apresenta uma tensão máxima de dreno-fonte (Vdss) de 30 V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 2.2 A. Com uma classificação de dissipação de energia (Pd) de 0.5 W, este MOSFET fornece operação confiável, mantendo baixo consumo de energia.
Diferenciais
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Aplicação
● Proteção da bateria
● Chave de carga
● Gerenciamento de energia
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.















