随着氮化镓快充技术的发展，大功率多端口快充开始普及。100W和120W快充产品相继推出，满足了消费者对多端口大功率充电的需求，填补了市场空白。大功率快充需要功率因数校正电路（PFC电路）进行功率因数校正，并抑制对电网的干扰。

主动式PFC电路通常用于充电器中，通过电感升压电路和二极管整流来实现功率因数校正。为了在小尺寸下实现高功率输出，PFC电路还采用氮化镓开关管来提高工作频率并减小磁性元件的尺寸。

快速恢复二极管反向恢复时间长、开关损耗大，因此无法满足小体积高频应用的需求。碳化硅二极管没有反向恢复电流，非常适合高频整流应用。与广泛使用的氮化镓开关管配合使用，这种强大的组合可以提高频率并降低损耗，从而减小磁性元件的尺寸，提高充电器的功率密度。

Mepsen公司推出了三款采用不同封装的碳化硅二极管，用于基于氮化镓的大功率多端口快速充电器中的PFC整流应用。值得一提的是，Mepsen的碳化硅二极管已被广泛应用于MOMAX和REMAX等品牌的大功率快速充电器中。

对 Mipsen 的三种碳化硅二极管的封装尺寸进行直观比较可知，TO252 占用的电路板面积最大，其次是 DFN8*8，DFN5*6 占用的电路板面积最小。

首先是采用 DFN5*6 封装的热门 MSM06065G1 碳化硅二极管。

MSM06065G1 碳化硅二极管采用 DFN5*6 封装。这种超薄封装节省了体积，适用于具有超高功率密度的大功率氮化镓适配器。

MSM06065G1 碳化硅二极管耐压为 650V，150℃ 时正向电流为 6A，工作温度范围为 -55℃ 至 175℃，正向压降为 1.3V，具有正温度系数特性，可直接并联使用。可用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和氙气照明等应用。

接下来是采用 DFN8*8 封装的 MSL06065G1 碳化硅二极管。

MSL06065G1 碳化硅二极管采用 DFN8*8 封装，超薄封装设计节省了体积。大面积散热垫增强了散热能力，适用于对功率密度要求不高的氮化镓大功率适配器。

MSL06065G1 碳化硅二极管耐压为 650V，150℃ 时正向连续电流为 6A，工作温度范围为 -55℃ 至 175℃，正向压降为 1.4V，具有正温度系数特性，可直接并联使用。可用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和氙气照明等应用。

最后，还有采用 TO-252 封装的 MSD04065G1 碳化硅二极管。

MSD04065G1 碳化硅二极管采用 TO-252 封装，封装高度较高，适用于功率密度要求较低的电源。

MSD04065G1 碳化硅二极管耐压为 650V，150℃ 时正向电流为 4.8A，工作温度范围为 -55℃ 至 175℃，正向压降为 1.45V，具有正温度系数特性，可直接并联使用。可用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和氙气照明等应用。

充电头网总结

碳化硅二极管具有更高的过压安全裕度，这可以提高满功率条件下的效率。与硅二极管相比，碳化硅二极管效率更高，散热需求更低。并联器件不会引起热失控，且几乎没有开关损耗。这些优势使得碳化硅二极管得到广泛应用，并逐渐取代了传统的快速恢复二极管。

毫无疑问，第三代半导体在功率密度和开关频率方面远超传统硅器件。将Mipurson公司的碳化硅二极管应用于充电器，可以提高充电器的工作频率，缩小尺寸，提升效率和功率密度，从而增强充电器产品的竞争力。此外，碳化硅器件的高耐热性和高可靠性也提高了充电器的可靠性。

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