Com o desenvolvimento do carregamento rápido por nitreto de gálio, o carregamento rápido multiportas de alta potência começou a se popularizar. Carregadores rápidos de 100 W e 120 W foram lançados sucessivamente para atender às necessidades dos consumidores por carregamento multiportas de alta potência e preencher a lacuna do mercado. O carregamento rápido de alta potência requer um circuito PFC para realizar a correção do fator de potência e suprimir interferências na rede elétrica.

Os circuitos PFC ativos são geralmente usados ​​em carregadores para corrigir o fator de potência através de um circuito Boost com indutor e retificação por diodo. Para alcançar alta potência de saída em um tamanho reduzido, o circuito PFC também utiliza transistores de comutação de nitreto de gálio para aumentar a frequência de operação e reduzir o tamanho dos componentes magnéticos.

Diodos de recuperação rápida apresentam um longo tempo de recuperação reversa e grandes perdas de comutação, o que os torna inadequados para aplicações de alta frequência em pequenos volumes. Diodos de carbeto de silício não possuem corrente de recuperação reversa e são muito adequados para aplicações de retificação em altas frequências. Em conjunto com os amplamente utilizados transistores de comutação de nitreto de gálio, essa poderosa combinação pode aumentar a frequência e reduzir as perdas, diminuindo assim o tamanho dos componentes magnéticos e aumentando a densidade de potência do carregador.

A Mepsen lançou três diodos de carbeto de silício em diferentes encapsulamentos para aplicações de retificação PFC em carregadores de alta potência com múltiplas portas e carregamento rápido, baseados em nitreto de gálio. Vale ressaltar que os diodos de carbeto de silício da Mepsen já são amplamente utilizados em carregadores de alta potência e carregamento rápido, como os das marcas MOMAX e REMAX.

Uma comparação intuitiva dos tamanhos dos encapsulamentos dos três diodos de carbeto de silício da Mipsen mostra que o TO252 ocupa a maior área na placa, seguido pelo DFN8*8 e, por fim, pelo DFN5*6, que é o menor.

O primeiro é o popular diodo de carbeto de silício MSM06065G1 em encapsulamento DFN5*6.

O diodo de carbeto de silício MSM06065G1 utiliza a embalagem DFN5*6. A embalagem ultrafina economiza volume e é adequada para adaptadores de nitreto de gálio de alta potência com densidade de potência ultra-alta.

O diodo de carbeto de silício MSM06065G1 possui uma tensão suportável de 650V, uma corrente direta contínua de 6A a 150℃, uma faixa de temperatura de operação de -55 a 175℃, uma queda de tensão direta de 1.3V e apresenta um coeficiente de temperatura positivo, podendo ser utilizado diretamente em paralelo. Pode ser usado em fontes de alimentação chaveadas, correção do fator de potência, acionamentos de motores e aplicações de iluminação de xenônio.

O próximo é o diodo de carbeto de silício MSL06065G1 em encapsulamento DFN8*8.

O diodo de carbeto de silício MSL06065G1 é encapsulado em um pacote DFN8*8. O encapsulamento ultrafino economiza volume. A grande área de dissipação de calor melhora a capacidade de dissipação térmica. É adequado para adaptadores de nitreto de gálio de alta potência que não priorizam a densidade de potência máxima.

O diodo de carbeto de silício MSL06065G1 possui uma tensão suportável de 650V, uma corrente direta contínua de 6A a 150℃, uma faixa de temperatura de operação de -55 a 175℃, uma queda de tensão direta de 1.4V e apresenta um coeficiente de temperatura positivo, podendo ser utilizado diretamente em paralelo. Pode ser usado em fontes de alimentação chaveadas, correção do fator de potência, acionamentos de motores e aplicações de iluminação de xenônio.

Por fim, temos o diodo de carbeto de silício MSD04065G1 em um encapsulamento TO-252.

O diodo de carbeto de silício MSD04065G1 é encapsulado em TO-252, que possui uma estrutura mais alta e é adequado para uso em fontes de alimentação com requisitos de baixa densidade de potência.

O diodo de carbeto de silício MSD04065G1 possui uma tensão suportável de 650V, uma corrente direta contínua de 4.8A a 150℃, uma faixa de temperatura de operação de -55 a 175℃, uma queda de tensão direta de 1.45V e apresenta um coeficiente de temperatura positivo, podendo ser utilizado diretamente em paralelo. Pode ser usado em fontes de alimentação chaveadas, correção do fator de potência, acionamentos de motores e aplicações de iluminação de xenônio.

Resumo da rede de cabeçotes de carregamento

Os diodos de carbeto de silício possuem uma margem de segurança contra sobretensão maior, o que pode melhorar a eficiência em condições de potência máxima. Comparados aos diodos de silício, os diodos de carbeto de silício apresentam maior eficiência e reduzem os requisitos de dissipação de calor. Dispositivos em paralelo não sofrem fuga térmica e praticamente não apresentam perdas de comutação. Essas vantagens tornaram os diodos de carbeto de silício amplamente utilizados e levaram à sua substituição gradual dos diodos de recuperação rápida tradicionais.

Não há dúvida de que o desempenho dos semicondutores de terceira geração supera em muito o dos dispositivos de silício convencionais em termos de densidade de potência e frequência de comutação. A aplicação de diodos de carbeto de silício da Mipurson em carregadores pode aumentar a frequência de operação do carregador, reduzir o tamanho, melhorar a eficiência e a densidade de potência, e aumentar a competitividade dos carregadores. Além disso, a alta resistência ao calor e a alta confiabilidade dos dispositivos de carbeto de silício também melhoram a confiabilidade do carregador.

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