Con lo sviluppo della ricarica rapida al nitruro di gallio, la ricarica rapida multiporta ad alta potenza ha iniziato a diffondersi. Sono stati lanciati, uno dopo l'altro, sistemi di ricarica rapida da 100 W e 120 W per soddisfare le esigenze dei consumatori in termini di ricarica multiporta ad alta potenza e colmare la lacuna di mercato. La ricarica rapida ad alta potenza richiede un circuito PFC (Power Factor Correction) per eseguire la correzione del fattore di potenza e sopprimere le interferenze alla rete elettrica.

I circuiti PFC attivi sono generalmente utilizzati nei caricabatterie per ottenere la correzione del fattore di potenza tramite un circuito di boost con induttore e raddrizzamento a diodi. Per ottenere un'elevata potenza in uscita in dimensioni ridotte, il circuito PFC utilizza anche transistor di commutazione al nitruro di gallio per aumentare la frequenza operativa e ridurre le dimensioni dei componenti magnetici.

I diodi a recupero rapido presentano un lungo tempo di recupero inverso e elevate perdite di commutazione, il che li rende inadatti alle applicazioni ad alta frequenza e di piccolo volume. I diodi al carburo di silicio non presentano corrente di recupero inversa e sono quindi molto adatti per applicazioni di rettifica ad alta frequenza. Insieme ai tubi di commutazione al nitruro di gallio, ampiamente utilizzati, questa potente combinazione consente di aumentare la frequenza e ridurre le perdite, riducendo così le dimensioni dei componenti magnetici e incrementando la densità di potenza del caricabatterie.

Mepsen ha lanciato tre diodi al carburo di silicio in diversi package per applicazioni di rettifica PFC in caricabatterie rapidi multiporta ad alta potenza basati su nitruro di gallio. Vale la pena ricordare che i diodi al carburo di silicio di Mipsen sono ampiamente utilizzati nei caricabatterie rapidi ad alta potenza, come quelli dei marchi MOMAX e REMAX.

Un confronto intuitivo delle dimensioni dei package dei tre diodi al carburo di silicio di Mipsen mostra che il TO252 occupa la maggiore area del circuito stampato, seguito dal DFN8*8 e dal DFN5*6, che è il più piccolo.

Il primo è il popolare diodo al carburo di silicio MSM06065G1 in contenitore DFN5*6.

Il diodo al carburo di silicio MSM06065G1 adotta un package DFN5*6. Il package ultrasottile consente di risparmiare ingombro ed è adatto per adattatori al nitruro di gallio ad alta potenza con densità di potenza ultraelevata.

Il diodo al carburo di silicio MSM06065G1 ha una tensione di tenuta di 650 V, una corrente diretta continua di 6 A a 150 °C, un intervallo di temperatura di funzionamento da -55 a 175 °C, una caduta di tensione diretta di 1.3 V e presenta una caratteristica di coefficiente di temperatura positivo, potendo essere utilizzato direttamente in parallelo. Può essere impiegato in alimentatori switching, correzione del fattore di potenza, azionamenti per motori e applicazioni di illuminazione allo xeno.

Il prossimo è il diodo al carburo di silicio MSL06065G1 in contenitore DFN8*8.

Il diodo al carburo di silicio MSL06065G1 è confezionato in un contenitore DFN8*8. Il contenitore ultrasottile consente di risparmiare volume. L'ampio pad di dissipazione del calore migliora le capacità di dissipazione termica. È adatto per adattatori ad alta potenza al nitruro di gallio che non richiedono la massima densità di potenza.

Il diodo al carburo di silicio MSL06065G1 ha una tensione di tenuta di 650 V, una corrente diretta continua di 6 A a 150 °C, un intervallo di temperatura di funzionamento da -55 a 175 °C, una caduta di tensione diretta di 1.4 V e presenta una caratteristica di coefficiente di temperatura positivo, potendo essere utilizzato direttamente in parallelo. Può essere impiegato in alimentatori switching, correzione del fattore di potenza, azionamenti per motori e applicazioni di illuminazione allo xeno.

Infine, c'è il diodo al carburo di silicio MSD04065G1 in un contenitore TO-252.

Il diodo al carburo di silicio MSD04065G1 è confezionato in un contenitore TO-252, che ha dimensioni maggiori ed è adatto all'uso in alimentatori con bassi requisiti di densità di potenza.

Il diodo al carburo di silicio MSD04065G1 ha una tensione di tenuta di 650 V, una corrente diretta continua di 4.8 A a 150 °C, un intervallo di temperatura di funzionamento da -55 a 175 °C, una caduta di tensione diretta di 1.45 V e presenta una caratteristica di coefficiente di temperatura positivo, pertanto può essere utilizzato direttamente in parallelo. Può essere impiegato in alimentatori switching, correzione del fattore di potenza, azionamenti per motori e applicazioni di illuminazione allo xeno.

Riepilogo della rete delle teste di ricarica

I diodi al carburo di silicio presentano un margine di sicurezza di sovratensione più elevato, che può migliorare l'efficienza in condizioni di piena potenza. Rispetto ai diodi al silicio, i diodi al carburo di silicio migliorano l'efficienza e riducono i requisiti di dissipazione del calore. I dispositivi in ​​parallelo non causano instabilità termica e non presentano quasi nessuna perdita di commutazione. Questi vantaggi hanno reso i diodi al carburo di silicio ampiamente utilizzati e hanno gradualmente sostituito i tradizionali diodi a recupero rapido.

Non c'è dubbio che le prestazioni dei semiconduttori di terza generazione superino di gran lunga quelle dei dispositivi al silicio convenzionali in termini di densità di potenza e frequenza di commutazione. L'applicazione dei diodi al carburo di silicio di Mipurson nei caricabatterie può aumentare la frequenza operativa del caricabatterie, ridurne le dimensioni, migliorarne l'efficienza e la densità di potenza, e accrescere la competitività dei prodotti. Inoltre, l'elevata resistenza al calore e l'affidabilità dei dispositivi al carburo di silicio migliorano ulteriormente l'affidabilità del caricabatterie.

Numero di telefono dell'azienda: +86-0755-83044319
Fax: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Responsabile Li

QQ: 332496225 Responsabile Qiu

Indirizzo: Stanza 809, Edificio C, Edificio Tecnologico Zhantao, Viale Minzhi n. 1079, Nuovo Distretto di Longhua, Shenzhen