隨著氮化鎵快充技術的發展，高功率多埠快充開始普及。 100W和120W快充產品相繼推出，滿足了消費者對多埠大功率充電的需求，填補了市場空白。高功率快充需要功率因數校正電路（PFC電路）進行功率因數校正，抑制對電網的干擾。

主動式PFC電路通常用於充電器中，透過電感升壓電路和二極體整流來實現功率因數校正。為了在小尺寸下實現高功率輸出，PFC電路還採用氮化鎵開關管來提高工作頻率並減少磁性元件的尺寸。

快速恢復二極體反向恢復時間長、開關損耗大，因此無法滿足小體積高頻應用的需求。碳化矽二極體沒有反向恢復電流，非常適合高頻整流應用。與廣泛使用的氮化鎵開關管配合使用，這種強大的組合可以提高頻率並降低損耗，從而減小磁性元件的尺寸，提高充電器的功率密度。

Mepsen公司推出了三款採用不同封裝的碳化矽二極管，用於基於氮化鎵的大功率多埠快速充電器中的PFC整流應用。值得一提的是，Mepsen的碳化矽二極體已被廣泛應用於MOMAX和REMAX等品牌的高功率快速充電器。

將 Mipsen 的三種碳化矽二極體的封裝尺寸進行直覺比較可知，TO252 所佔用的電路板面積最大，其次是 DFN8*8，DFN5*6 所佔用的電路板面積最小。

首先是採用 DFN5*6 封裝的熱門 MSM06065G1 碳化矽二極體。

MSM06065G1 碳化矽二極體採用 DFN5*6 封裝。這種超薄封裝節省了體積，適用於具有超高功率密度的高功率氮化鎵適配器。

MSM06065G1 碳化矽二極體耐電壓為 650V，150℃ 時正向電流為 6A，工作溫度範圍為 -55℃ 至 175℃，正向壓降為 1.3V，具有正溫度係數特性，可直接並聯使用。可用於開關電源、功率因數校正、馬達驅動及氙氣照明等應用。

接下來是採用 DFN8*8 封裝的 MSL06065G1 碳化矽二極體。

MSL06065G1 碳化矽二極體採用 DFN8*8 封裝，超薄封裝設計節省了體積。大面積散熱墊增強了散熱能力，適用於對功率密度要求不高的氮化鎵大功率適配器。

MSL06065G1 碳化矽二極體耐電壓為 650V，150℃ 時正向連續電流為 6A，工作溫度範圍為 -55℃ 至 175℃，正向壓降為 1.4V，具有正溫度係數特性，可直接並聯使用。可用於開關電源、功率因數校正、馬達驅動及氙氣照明等應用。

最後，還有採用 TO-252 封裝的 MSD04065G1 碳化矽二極體。

MSD04065G1 碳化矽二極體採用 TO-252 封裝，封裝高度較高，適用於功率密度要求較低的電源。

MSD04065G1 碳化矽二極體耐電壓為 650V，150℃ 時正向電流為 4.8A，工作溫度範圍為 -55℃ 至 175℃，正向壓降為 1.45V，具有正溫度係數特性，可直接並聯使用。可用於開關電源、功率因數校正、馬達驅動及氙氣照明等應用。

充電頭網總結

碳化矽二極體具有更高的過壓安全裕度，這可以提高滿功率條件下的效率。與矽二極體相比，碳化矽二極體效率更高，散熱需求更低。並聯裝置不會引起熱失控，且幾乎沒有開關損耗。這些優勢使得碳化矽二極體得到廣泛應用，並逐漸取代了傳統的快速恢復二極體。

毫無疑問，第三代半導體在功率密度和開關頻率方面遠超傳統矽元件。將Mipurson公司的碳化矽二極體應用於充電器，可提高充電器的工作頻率，縮小尺寸，提升效率和功率密度，進而增強充電器產品的競爭力。此外，碳化矽元件的高耐熱性和高可靠性也提高了充電器的可靠性。

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