Với sự phát triển của công nghệ sạc nhanh gallium nitride, sạc nhanh đa cổng công suất cao đã bắt đầu trở nên phổ biến. Các thiết bị sạc nhanh 100W và 120W đã được ra mắt liên tiếp để đáp ứng nhu cầu sạc đa cổng công suất cao của người tiêu dùng và lấp đầy khoảng trống thị trường. Sạc nhanh công suất cao yêu cầu mạch PFC để thực hiện hiệu chỉnh hệ số công suất và triệt tiêu nhiễu cho lưới điện.

Mạch PFC chủ động thường được sử dụng trong bộ sạc để hiệu chỉnh hệ số công suất thông qua mạch tăng áp cuộn cảm và chỉnh lưu bằng điốt. Để đạt được công suất đầu ra cao trong kích thước nhỏ gọn, mạch PFC cũng sử dụng các ống chuyển mạch gallium nitride để tăng tần số hoạt động và giảm kích thước của các linh kiện từ tính.

Các điốt phục hồi nhanh có thời gian phục hồi ngược dài và tổn hao chuyển mạch lớn, khiến chúng không thể đáp ứng các ứng dụng tần số cao với kích thước nhỏ. Điốt silicon carbide không có dòng điện phục hồi ngược và rất phù hợp cho các ứng dụng chỉnh lưu ở tần số cao. Kết hợp với các ống chuyển mạch gallium nitride được sử dụng rộng rãi, sự kết hợp mạnh mẽ này có thể tăng tần số và giảm tổn hao, do đó giảm kích thước của các linh kiện từ tính và tăng mật độ công suất của bộ sạc.

Mepsen đã cho ra mắt ba loại điốt silicon carbide với các kiểu đóng gói khác nhau dành cho ứng dụng chỉnh lưu PFC trong bộ sạc nhanh đa cổng công suất cao dựa trên gallium nitride. Điều đáng chú ý là điốt silicon carbide của Mepsen đã được sử dụng rộng rãi trong các bộ sạc nhanh công suất cao, chẳng hạn như của các thương hiệu MOMAX và REMAX.

So sánh trực quan kích thước đóng gói của ba loại điốt silicon carbide của Mipsen cho thấy TO252 chiếm diện tích bo mạch lớn nhất, tiếp theo là DFN8*8 và DFN5*6, có diện tích nhỏ nhất.

Đầu tiên là điốt silicon carbide MSM06065G1 phổ biến trong gói DFN5*6.

Điốt silicon carbide MSM06065G1 sử dụng bao bì DFN5*6. Bao bì siêu mỏng giúp tiết kiệm thể tích và phù hợp với các bộ chuyển đổi gallium nitride công suất cao có mật độ công suất cực cao.

Điốt silicon carbide MSM06065G1 có điện áp chịu đựng 650V, dòng điện thuận liên tục 6A ở 150℃, phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55 đến 175℃, điện áp rơi thuận 1.3V, có đặc tính hệ số nhiệt độ dương và có thể được sử dụng song song trực tiếp. Có thể được sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch, hiệu chỉnh hệ số công suất, điều khiển động cơ và các ứng dụng chiếu sáng xenon.

Tiếp theo là điốt silicon carbide MSL06065G1 trong gói DFN8*8.

Điốt silicon carbide MSL06065G1 được đóng gói trong vỏ DFN8*8. Vỏ siêu mỏng giúp tiết kiệm thể tích. Miếng tản nhiệt diện tích lớn giúp tăng cường khả năng tản nhiệt. Nó phù hợp với các bộ chuyển đổi gallium nitride công suất cao không theo đuổi mật độ công suất tối đa.

Điốt silicon carbide MSL06065G1 có điện áp chịu đựng 650V, dòng điện thuận liên tục 6A ở 150℃, phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55 đến 175℃, điện áp rơi thuận 1.4V, có đặc tính hệ số nhiệt độ dương và có thể được sử dụng song song trực tiếp. Có thể được sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch, hiệu chỉnh hệ số công suất, điều khiển động cơ và các ứng dụng chiếu sáng xenon.

Cuối cùng, có điốt silicon carbide MSD04065G1 trong gói TO-252.

Điốt silicon carbide MSD04065G1 được đóng gói trong vỏ TO-252, có kích thước lớn hơn và phù hợp để sử dụng trong các bộ nguồn có yêu cầu mật độ công suất thấp.

Điốt silicon carbide MSD04065G1 có điện áp chịu đựng 650V, dòng điện thuận liên tục 4.8A ở 150℃, phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55 đến 175℃, điện áp rơi thuận 1.45V, có đặc tính hệ số nhiệt độ dương và có thể được sử dụng song song trực tiếp. Có thể được sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch, hiệu chỉnh hệ số công suất, điều khiển động cơ và các ứng dụng chiếu sáng xenon.

Tổng hợp mạng đầu sạc

Điốt cacbua silic có biên độ an toàn quá áp cao hơn, giúp cải thiện hiệu suất trong điều kiện công suất tối đa. So với điốt silic, điốt cacbua silic cải thiện hiệu suất và giảm yêu cầu tản nhiệt. Các thiết bị mắc song song sẽ không gây ra hiện tượng quá nhiệt và hầu như không có tổn thất chuyển mạch. Những ưu điểm này đã khiến điốt cacbua silic được sử dụng rộng rãi và dần thay thế các điốt phục hồi nhanh truyền thống.

Không thể phủ nhận rằng hiệu năng của chất bán dẫn thế hệ thứ ba vượt trội hơn hẳn các thiết bị silicon thông thường về mật độ công suất và tần số chuyển mạch. Việc ứng dụng điốt silicon carbide của Mipurson trong bộ sạc có thể tăng tần số hoạt động của bộ sạc, giảm kích thước, cải thiện hiệu suất và mật độ công suất, đồng thời nâng cao khả năng cạnh tranh của sản phẩm bộ sạc. Hơn nữa, khả năng chịu nhiệt cao và độ tin cậy cao của các thiết bị silicon carbide cũng giúp cải thiện độ tin cậy của bộ sạc.

Số điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Số fax: +86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li

QQ: 332496225 Quản lý Qiu

Địa chỉ: Phòng 809, Tòa nhà C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Khu Longhua Mới, Thâm Quyến