Avec le développement de la recharge rapide au nitrure de gallium, la recharge rapide multiport haute puissance s'est popularisée. Les systèmes de recharge rapide 100 W et 120 W ont été lancés successivement pour répondre aux besoins des consommateurs en matière de recharge multiport haute puissance et combler le manque sur le marché. La recharge rapide haute puissance nécessite un circuit PFC pour corriger le facteur de puissance et limiter les interférences avec le réseau électrique.

Les circuits PFC actifs sont généralement utilisés dans les chargeurs pour corriger le facteur de puissance grâce à un circuit Boost à inductance et un redressement par diodes. Afin d'obtenir une puissance de sortie élevée dans un format compact, le circuit PFC utilise également des tubes de commutation au nitrure de gallium pour augmenter la fréquence de fonctionnement et réduire la taille des composants magnétiques.

Les diodes à récupération rapide présentent un temps de récupération inverse long et des pertes de commutation importantes, ce qui les rend inadaptées aux applications haute fréquence de petite taille. Les diodes au carbure de silicium, dépourvues de courant de récupération inverse, sont parfaitement adaptées aux applications de redressement à haute fréquence. Associées aux tubes de commutation au nitrure de gallium, largement utilisés, elles forment une combinaison performante permettant d'augmenter la fréquence et de réduire les pertes, ce qui permet de réduire la taille des composants magnétiques et d'accroître la densité de puissance du chargeur.

Mepsen a lancé trois diodes en carbure de silicium, disponibles en différents boîtiers, destinées à la correction du facteur de puissance (PFC) dans les chargeurs rapides multiports haute puissance à base de nitrure de gallium. Il convient de noter que les diodes en carbure de silicium de Mepsen sont largement utilisées dans les systèmes de charge rapide haute puissance, notamment par les marques MOMAX et REMAX.

Une comparaison intuitive des dimensions des boîtiers des trois diodes en carbure de silicium de Mipsen montre que le TO252 occupe la plus grande surface sur la carte, suivi du DFN8*8 et du DFN5*6, qui est le plus petit.

The first is the popular MSM06065G1 silicon carbide diode in DFN5*6 package.

La diode en carbure de silicium MSM06065G1 est conditionnée en boîtier DFN5*6. Ce boîtier ultra-mince permet un gain de place et convient aux adaptateurs au nitrure de gallium haute puissance à très haute densité de puissance.

La diode en carbure de silicium MSM06065G1 présente une tension de tenue de 650 V, un courant direct continu de 6 A à 150 °C, une plage de température de fonctionnement de -55 à 175 °C, une chute de tension directe de 1.3 V et un coefficient de température positif. Elle peut être utilisée directement en parallèle et convient aux alimentations à découpage, à la correction du facteur de puissance, aux variateurs de moteurs et à l'éclairage au xénon.

The next one is the MSL06065G1 silicon carbide diode in DFN8*8 package.

The MSL06065G1 silicon carbide diode is packaged in DFN8*8. The ultra-thin package saves volume. The large-area heat dissipation pad can enhance heat dissipation capabilities. It is suitable for high-power gallium nitride adapters that do not pursue the ultimate in power density.

La diode en carbure de silicium MSL06065G1 présente une tension de tenue de 650 V, un courant direct continu de 6 A à 150 °C, une plage de température de fonctionnement de -55 à 175 °C, une chute de tension directe de 1.4 V et un coefficient de température positif. Elle peut être utilisée directement en parallèle et convient aux alimentations à découpage, à la correction du facteur de puissance, aux variateurs de moteurs et à l'éclairage au xénon.

Enfin, il y a la diode en carbure de silicium MSD04065G1 dans un boîtier TO-252.

MSD04065G1 silicon carbide diode is packaged in TO-252, which has a higher package and is suitable for use in power supplies with low power density requirements.

MSD04065G1 silicon carbide diode has a withstand voltage of 650V, a continuous forward current of 4.8A at 150℃, an operating temperature range of -55 to 175℃, a forward voltage drop of 1.45V, and has a positive temperature coefficient characteristic and can be used directly in parallel. Can be used in switching power supplies, power factor correction, motor drives and xenon lighting applications.

Résumé du réseau de têtes de recharge

Les diodes au carbure de silicium présentent une marge de sécurité contre les surtensions plus élevée, ce qui améliore leur rendement à pleine puissance. Comparées aux diodes au silicium, elles offrent un meilleur rendement et nécessitent moins de dissipation thermique. Le montage en parallèle évite l'emballement thermique et les pertes par commutation sont quasi nulles. Grâce à ces avantages, les diodes au carbure de silicium sont largement utilisées et ont progressivement remplacé les diodes à récupération rapide traditionnelles.

Il ne fait aucun doute que les semi-conducteurs de troisième génération offrent des performances nettement supérieures aux dispositifs en silicium classiques en termes de densité de puissance et de fréquence de commutation. L'utilisation des diodes en carbure de silicium de Mipurson dans les chargeurs permet d'accroître leur fréquence de fonctionnement, de réduire leur taille, d'améliorer leur rendement et leur densité de puissance, et de renforcer la compétitivité des chargeurs. De plus, la haute résistance thermique et la grande fiabilité des dispositifs en carbure de silicium contribuent également à améliorer la fiabilité du chargeur.

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