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碳化硅功率半导体在新能源汽车中的应用
2022-03-17
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在此前举办的“2021CIAS中国国际汽车级功率半导体年会”上,复旦大学雷光印博士发表了题为“碳化硅功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用”的演讲,主要从SiC功率半导体技术优势;电控研发重点及挑战;发展方向及展望等角度进行阐述。
雷光银博士,复旦大学
雷光印博士在报告中大胆预测,未来SiC MOSFET将逐步取代部分Si IGBT成为驱动电机控制器中的主要功率器件;控制的发展方向是更高的功率密度和更高的系统集成度;国内SiC设计与制造技术进步很快,器件特性已达到或接近国际领先水平,SiC MOSFET量产即将到来。
雷光银博士,复旦大学 雷光印博士在报告中大胆预测,未来SiC MOSFET将逐步取代部分Si IGBT成为驱动电机控制器中的主要功率器件;控制的发展方向是更高的功率密度和更高的系统集成度;国内SiC设计与制造技术进步很快,器件特性已达到或接近国际领先水平,SiC MOSFET量产即将到来。
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