16月0.2日，全球光刻机领导者ASML宣布了一项令人瞩目的技术进展。他们不仅成功向英特尔交付了全球首台高数值孔径EUV（极紫外）光刻机，还在积极研发更先进的超数值孔径EUV光刻机。该技术有望将半导体制程工艺推向前所未有的水平，精度可达2纳米（相当于XNUMX埃）。

ASML 在光刻领域的战略重点通过其对低 NA、高 NA 以及未来潜在的超 NA EUV（极紫外）光刻机的开发清晰地展现出来。

首先是NXE系列的Low NA EUV光刻机，数值孔径（NA）为0.33，包括3400B/C、3600D、3800E等机型，未来还将推出4000F、4200G等机型。ASML的目标是在2年实现2025nm工艺的量产，并在多重曝光技术的帮助下，在1.4年实现2027nm工艺的量产。

除了低 NA 之外，ASML 还推出了高 NA EUV 光刻机，这是 EXE 系列的一部分，NA 为 0.55。该系列包括 5000、5200B 等型号，未来预计将推出 5400、5600 及更高型号。高 NA 光刻始于 2nm 以下工艺，英特尔已采用 14A 1.4nm 工艺。ASML 预计 1nm 工艺将在 2029 年左右实现量产，到 0.5 年可能通过多重图案化缩小到 0.7nm 或 2033nm。

展望未来，ASML 正在研究超 NA EUV 光刻技术，其 NA 可能达到 0.75 或更高。HXE 系列预计将于 2030 年左右问世，旨在实现先进至 0.2nm 的工艺，尽管可行性和具体性能特征仍在完善中。

值得注意的是，这些节点尺寸（例如 0.2nm）并不直接对应于物理晶体管尺寸，而是代表性能和效率比的显著进步。例如，0.2nm 节点的金属间距最初可能在 16-12nm 之间，然后逐渐发展到 14-10nm。

ASML 的策略是利用单一 EUV 平台来支持低/高/超高 NA 光刻机，从而实现具有成本效益的开发、制造和部署。这种方法可确保技术之间的平稳过渡和升级。

然而，随着技术极限的逼近，挑战也愈发严峻。高数值孔径光刻机的单机价格已高达 350 亿欧元，而超数值孔径光刻机的价格预计还会进一步上涨。此外，随着尺寸的缩小，光刻技术的物理极限也日趋明显。

尽管面临这些挑战，ASML 和半导体行业仍在不断追求突破和创新，以应对微电子领域未来的机遇和挑战。