16 जून को, लिथोग्राफी मशीनों में वैश्विक अग्रणी, ASML ने एक उल्लेखनीय तकनीकी प्रगति की घोषणा की। उन्होंने न केवल इंटेल को दुनिया की पहली हाई NA EUV (एक्सट्रीम अल्ट्रावायलेट) लिथोग्राफी मशीन सफलतापूर्वक प्रदान की है, बल्कि और भी उन्नत हाइपर NA EUV मशीनों का भी सक्रिय रूप से विकास कर रहे हैं। इस तकनीक से सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं को अभूतपूर्व स्तर तक, 0.2nm तक, जो 2µm (एंगस्ट्रॉम) के बराबर है, पहुँचाने की उम्मीद है।

लिथोग्राफी के क्षेत्र में एएसएमएल का रणनीतिक फोकस, लो एनए, हाई एनए और संभावित भविष्य के हाइपर एनए ईयूवी (एक्सट्रीम अल्ट्रावायलेट) लिथोग्राफी मशीनों के विकास के साथ स्पष्ट रूप से चित्रित किया गया है।

सबसे पहले, 0.33 के संख्यात्मक एपर्चर (एनए) के साथ एनएक्सई श्रृंखला के तहत कम एनए ईयूवी लिथोग्राफी मशीनों में 3400बी/सी, 3600डी और 3800ई जैसे मॉडल शामिल हैं, भविष्य में 4000एफ, 4200जी और उससे आगे के मॉडल की उम्मीद है। एएसएमएल का लक्ष्य 2 तक 2025एनएम प्रक्रियाओं के लिए वॉल्यूम उत्पादन हासिल करना है, जो मल्टी-पैटर्निंग तकनीकों की सहायता से 1.4 तक 2027एनएम तक प्रगति करेगा।

लो एनए से आगे बढ़ते हुए, ASML ने हाई एनए EUV लिथोग्राफी मशीनें पेश कीं, जो EXE श्रृंखला का हिस्सा हैं, जिसमें 0.55 का NA है। इस श्रृंखला में 5000, 5200B जैसे मॉडल शामिल हैं, और भविष्य में 5400, 5600 और उससे आगे के मॉडल आने की उम्मीद है। हाई एनए लिथोग्राफी 2nm प्रक्रियाओं से नीचे शुरू होती है, इंटेल पहले से ही 14A 1.4nm प्रक्रिया को अपना रहा है। ASML का अनुमान है कि 1 के आसपास 2029nm प्रक्रियाओं के लिए वॉल्यूम उत्पादन प्राप्त होगा, जो संभावित रूप से मल्टी-पैटर्निंग के साथ 0.5 तक 0.7nm या 2033nm तक कम हो सकता है।

इससे भी आगे की बात करें तो, ASML हाइपर NA EUV लिथोग्राफी पर शोध कर रहा है, जिसमें NA संभावित रूप से 0.75 या उससे अधिक तक पहुँच सकता है। 2030 के आसपास अपेक्षित HXE श्रृंखला का लक्ष्य 0.2nm जितनी उन्नत प्रक्रियाओं को सक्षम करना है, हालाँकि व्यवहार्यता और विशिष्ट प्रदर्शन विशेषताओं को अभी भी परिष्कृत किया जा रहा है।

यह ध्यान रखना महत्वपूर्ण है कि ये नोड आकार, जैसे कि 0.2nm, सीधे भौतिक ट्रांजिस्टर आयामों के अनुरूप नहीं हैं, बल्कि प्रदर्शन और दक्षता अनुपात में महत्वपूर्ण प्रगति का प्रतिनिधित्व करते हैं। उदाहरण के लिए, 0.2nm नोड्स के लिए धातु की पिच शुरू में 16-12nm के बीच हो सकती है, जो 14-10nm तक बढ़ सकती है।

ASML की रणनीति में लो/हाई/हाइपर NA लिथोग्राफी मशीनों में एकल EUV प्लेटफ़ॉर्म का उपयोग करना शामिल है, जिससे लागत-प्रभावी विकास, विनिर्माण और तैनाती की सुविधा मिलती है। यह दृष्टिकोण प्रौद्योगिकियों के बीच सहज संक्रमण और उन्नयन सुनिश्चित करता है।

हालाँकि, जैसे-जैसे तकनीकी सीमाएँ नज़दीक आती हैं, चुनौतियाँ बढ़ती जाती हैं। हाई एनए लिथोग्राफी मशीनों की कीमत पहले से ही लगभग €350 मिलियन है, और हाइपर एनए मशीनों के लिए लागत में और वृद्धि होने की उम्मीद है। इसके अलावा, लिथोग्राफी तकनीक की भौतिक सीमाएँ आयामों के सिकुड़ने के साथ-साथ स्पष्ट होती जा रही हैं।

इन चुनौतियों के बावजूद, एएसएमएल और सेमीकंडक्टर उद्योग माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स में भविष्य के अवसरों और चुनौतियों का समाधान करने के लिए सफलताओं और नवाचारों की खोज जारी रखे हुए हैं।