Pada 16 Juni, ASML, pemimpin global dalam mesin litografi, mengumumkan kemajuan teknologi yang luar biasa. Mereka tidak hanya berhasil mengirimkan mesin litografi High NA EUV (Extreme Ultraviolet) pertama di dunia kepada Intel, tetapi juga secara aktif mengembangkan mesin Hyper NA EUV yang lebih canggih. Teknologi ini diharapkan dapat mendorong proses semikonduktor ke tingkat yang belum pernah terjadi sebelumnya, hingga 0.2 nm, setara dengan 2 μg (angstrom).

Fokus strategis ASML di bidang litografi secara jelas digambarkan dengan pengembangan mesin litografi Low NA, High NA, dan potensi mesin litografi Hyper NA EUV (Extreme Ultraviolet) di masa depan.

Pertama, mesin litografi Low NA EUV, di bawah seri NXE dengan aperture numerik (NA) 0.33, mencakup model seperti 3400B/C, 3600D, dan 3800E, dengan model masa depan yang diharapkan seperti 4000F, 4200G, dan seterusnya. ASML bertujuan untuk mencapai volume produksi untuk proses 2nm pada tahun 2025, dan berkembang menjadi 1.4nm pada tahun 2027 dengan bantuan teknik multi-pola.

Memperluas melampaui NA Rendah, ASML memperkenalkan mesin litografi NA EUV Tinggi, bagian dari seri EXE yang menampilkan NA 0.55. Seri ini mencakup model seperti 5000, 5200B, dengan model masa depan yang diantisipasi seperti 5400, 5600, dan seterusnya. Litografi NA tinggi dimulai di bawah proses 2nm, dengan Intel sudah mengadopsi proses 14A 1.4nm. Perkiraan ASML akan mencapai produksi volume untuk proses 1nm sekitar tahun 2029, dan berpotensi diturunkan menjadi 0.5nm atau 0.7nm pada tahun 2033 dengan multi-pola.

Melihat lebih jauh ke depan, ASML sedang meneliti litografi Hyper NA EUV dengan NA yang berpotensi mencapai 0.75 atau lebih tinggi. Seri HXE, diharapkan sekitar tahun 2030, bertujuan untuk memungkinkan proses setinggi 0.2nm, meskipun kelayakan dan karakteristik kinerja spesifiknya masih disempurnakan.

Penting untuk dicatat bahwa ukuran node ini, seperti 0.2nm, tidak secara langsung berhubungan dengan dimensi fisik transistor namun mewakili kemajuan signifikan dalam rasio kinerja dan efisiensi. Misalnya, pitch logam untuk node 0.2nm pada awalnya dapat berkisar antara 16-12nm, kemudian berkembang menjadi 14-10nm.

Strategi ASML melibatkan penggunaan platform EUV tunggal di seluruh mesin litografi NA Rendah/Tinggi/Hyper, sehingga memfasilitasi pengembangan, produksi, dan penerapan yang hemat biaya. Pendekatan ini memastikan kelancaran transisi dan peningkatan antar teknologi.

Namun, seiring dengan semakin dekatnya keterbatasan teknologi, tantangan semakin besar. Mesin litografi NA tinggi masing-masing memiliki harga sekitar €350 juta, dan biaya diperkirakan akan semakin meningkat untuk mesin Hyper NA. Selain itu, batasan fisik teknologi litografi menjadi semakin jelas seiring dengan menyusutnya dimensi.

Terlepas dari tantangan ini, ASML dan industri semikonduktor terus melakukan terobosan dan inovasi untuk mengatasi peluang dan tantangan masa depan di bidang mikroelektronika.