16月0.2日，全球光刻機領導者ASML宣布了一項令人矚目的技術進展。他們不僅成功向英特爾交付了全球首台高數值孔徑EUV（極紫外線）光刻機，還在積極研發更先進的超數值孔徑EUV光刻機。該技術可望將半導體製程製程推向前所未有的水平，精度可達2奈米（相當於XNUMX埃）。

ASML 在微影領域的策略重點透過其低 NA、高 NA 以及未來潛在的 Hyper NA EUV（極紫外線）光刻機的開發來清晰地描繪出來。

首先，低NA EUV光刻機屬於NXE系列，數值孔徑（NA）為0.33，包括3400B/C、3600D和3800E等型號，未來預計將有4000F、4200G等型號。 ASML的目標是到2年實現2025nm製程的量產，並在多重圖案化技術的幫助下，在1.4年實現2027nm製程的量產。

除了低數值孔徑之外，ASML 還推出了高數值孔徑 EUV 微影機，這是 EXE 系列的一部分，數值孔徑為 0.55。該系列包括 5000、5200B 等型號，以及預計未來的 5400、5600 等型號。高數值孔徑光刻技術從 2nm 以下製程開始，英特爾已經採用 14A 1.4nm 製程。 ASML 預計 1nm 製程將於 2029 年左右實現量產，到 0.5 年可能會透過多重圖案化縮小至 0.7nm 或 2033nm。

展望更遠的未來，ASML 正在研究 Hyper NA EUV 光刻，NA 可能達到 0.75 或更高。 HXE系列預計在2030年左右推出，目標是實現先進至0.2奈米的工藝，儘管可行性和具體性能特徵仍在完善中。

值得注意的是，這些節點尺寸（例如 0.2nm）並未直接對應於物理電晶體尺寸，而是代表了效能和效率比的顯著進步。例如，0.2nm 節點的金屬間距最初可能在 16-12nm 之間，逐漸發展到 14-10nm。

ASML 的策略涉及在低/高/超 NA 光刻機上使用單一 EUV 平台，促進經濟高效的開發、製造和部署。這種方法確保了技術之間的平滑過渡和升級。

然而，隨著技術極限的逼近，挑戰也隨之加劇。高 NA 光刻機的價格已達到每台 350 億歐元左右，而 Hyper NA 機器的成本預計將進一步上升。此外，隨著尺寸的縮小，光刻技術的物理限制變得越來越明顯。

儘管面臨這些挑戰，ASML 和半導體產業仍繼續追求突破和創新，以應對微電子領域未來的機會和挑戰。