Pada 16 Jun, ASML, peneraju global dalam mesin litografi, mengumumkan kemajuan teknologi yang luar biasa. Mereka bukan sahaja berjaya menghantar mesin litografi High NA EUV (Extreme Ultraviolet) pertama di dunia kepada Intel tetapi juga sedang giat membangunkan mesin Hyper NA EUV yang lebih maju. Teknologi ini dijangka akan mendorong proses semikonduktor ke tahap yang tidak pernah berlaku sebelum ini kepada 0.2nm, bersamaan dengan 2? (angstroms).

Tumpuan strategik ASML dalam bidang litografi digariskan dengan jelas dengan pembangunan mesin litografi NA Rendah, NA Tinggi dan potensi masa depan Hyper NA EUV (Ultraviolet Ekstrim) mereka.

Pertama, mesin litografi Low NA EUV, di bawah siri NXE dengan apertur berangka (NA) 0.33, termasuk model seperti 3400B/C, 3600D dan 3800E, dengan model masa hadapan dijangka seperti 4000F, 4200G dan seterusnya. ASML menyasarkan untuk mencapai pengeluaran volum untuk proses 2nm menjelang 2025, meningkat kepada 1.4nm menjelang 2027 dengan bantuan teknik berbilang corak.

Melangkaui Low NA, ASML memperkenalkan mesin litografi High NA EUV, sebahagian daripada siri EXE yang menampilkan NA sebanyak 0.55. Siri ini termasuk model seperti 5000, 5200B, dengan model masa depan dijangka seperti 5400, 5600 dan seterusnya. Litografi NA tinggi bermula di bawah proses 2nm, dengan Intel sudah menggunakan proses 14A 1.4nm. ASML meramalkan mencapai pengeluaran volum untuk proses 1nm sekitar 2029, berpotensi menurun kepada 0.5nm atau 0.7nm menjelang 2033 dengan corak berbilang.

Memandang lebih jauh ke hadapan, ASML sedang menyelidik litografi Hyper NA EUV dengan NA yang berpotensi mencapai 0.75 atau lebih tinggi. Siri HXE, dijangka sekitar 2030, bertujuan untuk membolehkan proses semaju 0.2nm, walaupun ciri kebolehlaksanaan dan prestasi khusus masih diperhalusi.

Adalah penting untuk ambil perhatian bahawa saiz nod ini, seperti 0.2nm, tidak secara langsung sepadan dengan dimensi transistor fizikal sebaliknya mewakili kemajuan ketara dalam nisbah prestasi dan kecekapan. Sebagai contoh, pic logam untuk nod 0.2nm mungkin berjulat antara 16-12nm pada mulanya, berkembang kepada 14-10nm.

Strategi ASML melibatkan penggunaan platform EUV tunggal merentas mesin litografi NA Rendah/Tinggi/Hiper, memudahkan pembangunan, pembuatan dan penggunaan yang menjimatkan kos. Pendekatan ini memastikan peralihan lancar dan naik taraf antara teknologi.

Walau bagaimanapun, apabila had teknologi menghampiri, cabaran semakin sengit. Mesin litografi NA tinggi sudahpun mendapat harga sekitar €350 juta setiap satu, dan kos dijangka meningkat lagi untuk mesin Hyper NA. Selain itu, had fizikal teknologi litografi semakin ketara apabila dimensi mengecil.

Walaupun menghadapi cabaran ini, ASML dan industri semikonduktor terus mengejar penemuan dan inovasi untuk menangani peluang dan cabaran masa depan dalam mikroelektronik.