Litografi makinelerinde dünya lideri olan ASML, 16 Haziran'da dikkat çekici bir teknolojik gelişmeyi duyurdu. Intel'e dünyanın ilk Yüksek NA EUV (Ekstrem Ultraviyole) litografi makinesini başarıyla teslim etmekle kalmayıp, aynı zamanda daha da gelişmiş Hiper NA EUV makineleri de geliştiriyorlar. Bu teknolojinin, yarı iletken süreçlerini 0.2 nm'ye (2 μg) kadar benzeri görülmemiş seviyelere taşıması bekleniyor.

ASML'nin litografi alanındaki stratejik odağı, Düşük NA, Yüksek NA ve gelecekteki potansiyel Hyper NA EUV (Aşırı Ultraviyole) litografi makinelerinin geliştirilmesiyle açıkça tanımlanmaktadır.

İlk olarak, 0.33 sayısal açıklığa (NA) sahip NXE serisi altındaki Low NA EUV litografi makineleri, 3400B/C, 3600D ve 3800E gibi modelleri içerir ve 4000F, 4200G ve ötesi gibi gelecek modellerin de olması bekleniyor. ASML, 2 yılına kadar 2025 nm'lik işlemler için hacimli üretim elde etmeyi, çoklu desenleme tekniklerinin yardımıyla 1.4'ye kadar 2027 nm'ye ilerlemeyi hedefliyor.

Düşük NA'nın ötesine geçen ASML, 0.55 NA özelliğine sahip EXE serisinin bir parçası olan Yüksek NA EUV litografi makinelerini tanıttı. Bu seri, 5000, 5200B gibi modelleri içerirken, 5400, 5600 ve ötesi gibi gelecekte beklenen modeller de bulunmaktadır. Yüksek NA litografi, 2 nm'lik süreçlerin altında başlıyor; Intel halihazırda 14A 1.4 nm sürecini benimsiyor. ASML, 1 yılı civarında 2029 nm süreçler için hacimli üretime ulaşılacağını ve çoklu desenlemeyle potansiyel olarak 0.5 yılına kadar 0.7 nm veya 2033 nm'ye düşeceğini öngörüyor.

Daha da ileriye baktığımızda ASML, NA'nın potansiyel olarak 0.75 veya daha yükseğe ulaştığı Hyper NA EUV litografisini araştırıyor. 2030 civarında beklenen HXE serisi, fizibilite ve spesifik performans özellikleri halen geliştirilme aşamasında olmasına rağmen 0.2 nm kadar gelişmiş süreçleri mümkün kılmayı hedefliyor.

0.2 nm gibi bu düğüm boyutlarının doğrudan fiziksel transistör boyutlarına karşılık gelmediğini, daha ziyade performans ve verimlilik oranlarında önemli ilerlemeleri temsil ettiğini belirtmek önemlidir. Örneğin, 0.2 nm'lik düğümler için metal aralığı başlangıçta 16-12 nm arasında değişebilir ve 14-10 nm'ye kadar ilerleyebilir.

ASML'nin stratejisi, Düşük/Yüksek/Hiper NA litografi makinelerinde tek bir EUV platformunun kullanılmasını, böylece uygun maliyetli geliştirme, üretim ve dağıtımın kolaylaştırılmasını içerir. Bu yaklaşım, teknolojiler arasında sorunsuz geçişler ve yükseltmeler sağlar.

Ancak teknolojik sınırlar yaklaştıkça zorluklar yoğunlaşıyor. Yüksek NA litografi makinelerinin her birinin fiyatı halihazırda 350 milyon Euro civarında ve Hyper NA makineleri için maliyetlerin daha da artması bekleniyor. Üstelik litografi teknolojisinin fiziksel sınırları, boyutlar küçüldükçe giderek daha belirgin hale geliyor.

Bu zorluklara rağmen ASML ve yarı iletken endüstrisi, mikroelektronik alanında gelecekteki fırsat ve zorlukları ele almak için atılımlar ve yenilikler peşinde koşmaya devam ediyor.