servicio de teléfono directo
Tipo: Canal P
Vdss: 50V
Id: 130mA
PD: 200mW
RDS(on)@Vgs,Id: 10Ω@5V,100mA
Vgs(th)@Id: 2.5 V@250 µA
Ciss@Vds: 73pF@25V
Temperatura de trabajo: +150℃@(Tj)
FET MOS en modo de mejora de canal P
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















