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Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P BSS84 SOT-23

Tipo: Canal P

Vdss: 50V

Id: 130mA

PD: 200mW

RDS(on)@Vgs,Id: 10Ω@5V,100mA

Vgs(th)@Id: 2.5 V@250 µA

Ciss@Vds: 73pF@25V

Temperatura de trabajo: +150℃@(Tj)

FET MOS en modo de mejora de canal P

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El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.

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