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Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal P BSS84 SOT-23

Tipo: Canal P

Vdss: 50V

ID: 130mA

Pd: 200mW

RDS(on)@Vgs,Id: 10Ω@5V,100mA

Vgs(th)@Id: 2.5V@250uA

Ciss@Vds: 73pF@25V

Temperatura de operação: +150℃@(Tj)

FETs MOS de modo de aprimoramento de canal P

Nome
Título
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Suporte

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Longevidade

 

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