Línea directa de servicio
● Capacidad dv/dt mejorada
● Diseño de celda de alta densidad para Rdson ultrabajo
● Excelente paquete para una buena disipación del calor.
MOSFET de potencia de canal N
Características generales
● VDS =60V. ID = 17A
RDS (ACTIVADO)<75 mΩ VGS= 10 V
RDS (ACTIVADO)Ω@VGS= 4.5 V
● Capacidad dv/dt mejorada
● Diseño de celda de alta densidad para Rdson ultrabajo
● Buena estabilidad y uniformidad con altos EA
● Excelente paquete para una buena disipación del calor.
Aplicaciones
● Aplicación de conmutación de energía
● Circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura
● accionamiento del motor
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















