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SL17N06DN1 MOSFET de mejora de canal N TO-252

● Diseño de celda de alta densidad para Rdson ultrabajo

● Buena estabilidad y uniformidad con altos valores de EA.

● Excelente paquete para una buena disipación del calor.

Características generales

V DS = 60 V. I D = 17 A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

RDS (ACTIVADO)<88 mΩ@VGS= 4.5 V

Capacidad dv/dt mejorada

Diseño de celdas de alta densidad para una Rdson ultrabaja

Buena estabilidad y uniformidad con altos valores de EA.

● Excelente paquete para una buena disipación del calor.

Aplicaciones

Aplicación de conmutación de potencia

Circuitos de conmutación dura y de alta frecuencia

● accionamiento del motor


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Soporte

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