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SL15N10A MOSFET de potencia de canal N TO-252
● Tecnología MOSFET MV de Trench Power
● Excelente paquete para disipación de calor.
● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
Introducción del producto
El SL15N10A es un MOSFET de canal N de media tensión caracterizado por una alta tensión drenador-fuente y una baja resistencia en estado activo. Se suministra en un encapsulado TO-252.
Características del producto
- Alto voltaje drenador-fuente: El SL15N10A cuenta con un voltaje drenador-fuente de 100 V para cumplir con los requisitos de las aplicaciones de alto voltaje.
- Baja resistencia en estado activo: Su resistencia en estado activo es de 115 mΩ a 10 V y 8 A. La ventaja de una baja resistencia en estado activo es que reduce las pérdidas de potencia en los circuitos de conmutación.
- Alta capacidad de resistencia: El SL15N10A puede operar a una temperatura de unión de hasta 150 ℃. Gracias a su alta capacidad de resistencia al voltaje, se adapta a una amplia gama de aplicaciones industriales.
Especificaciones del producto
- Tipo: Canal N
- Tensión drenador-fuente (Vdss): 100 V
- Corriente de drenaje continua (Id): 15 A
- Resistencia en estado activo (RDS(on) @ Vgs, Id): 115 mΩ @ 10 V, 8 A
- Tensión umbral de puerta (Vgs(th) @ Id): 3 V @ 250 µA
- Paquete: TO-252
Aplicaciones
El SL15N10A se utiliza ampliamente en diversos circuitos de conmutación, gestión de energía, control de motores y otros campos. Gracias a su alta tensión drenador-fuente, baja resistencia en estado activo y alta capacidad de resistencia, ofrece un rendimiento excelente en aplicaciones de alta tensión.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002KDW MOSFET de potencia de canal N SOT-363
Marcas: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET de potencia de canal N TO-523
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002T MOSFET de alimentación de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
BSS123 MOSFET de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
BSS138 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 220mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,220mA VTH： 1.6V@1mA P/N： N-Channel
BSS169 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 234mΩ@10V,1.5A VTH： 2.8V@250uA P/N： N-channel
IRF640, canal N, alimentación, encapsulado TO-220
Marcas: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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