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Transistor bipolar MMDT3906 PNP SOT-363
El MMDT3906 es un transistor de unión bipolar doble PNP de alto rendimiento, diseñado para conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión nominal de colector-emisor (Vceo) de 40 V y una corriente de colector máxima (Ic) de 200 mA, ofrece un rendimiento sólido en un paquete compacto. El transistor está diseñado para manejar hasta 200 mW de disipación de potencia, lo que garantiza confiabilidad en diferentes condiciones operativas.
Nuestras ventajas:
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción:
El MMDT3906 es un transistor de unión bipolar doble PNP de alto rendimiento, diseñado para conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión nominal de colector-emisor (Vceo) de 40 V y una corriente de colector máxima (Ic) de 200 mA, ofrece un rendimiento sólido en un paquete compacto. El transistor está diseñado para manejar hasta 200 mW de disipación de potencia, lo que garantiza confiabilidad en diferentes condiciones operativas.
Características:
Construcción de troquel plano epitaxial.
Ideal para amplificación y conmutación de baja potencia.
Paquete de montaje en superficie ultrapequeño.
También disponible en versión sin plomo.
Aplicaciones:
Conmutación y amplificación generales.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marcas: slkor，
2SC3585 R45
Marcas: slkor，
2SC4228 R45
Marcas: slkor，
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222A
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor PXT8050 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-2 4226SC24 R323 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-3946 MMDT363 BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor SOT-817 BC40-323W NPN BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 700mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 50mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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