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MMDT3906 PNP-Bipolartransistor SOT-363
Der MMDT3906 ist ein hochleistungsfähiger Doppel-PNP-Bipolartransistor, der für effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 40 V und einem maximalen Kollektorstrom (Ic) von 200 mA bietet er robuste Leistung in einem kompakten Gehäuse. Der Transistor ist für eine Verlustleistung von bis zu 200 mW ausgelegt und gewährleistet Zuverlässigkeit unter unterschiedlichen Betriebsbedingungen.
Unsere Vorteile:
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der MMDT3906 ist ein hochleistungsfähiger Doppel-PNP-Bipolartransistor, der für effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 40 V und einem maximalen Kollektorstrom (Ic) von 200 mA bietet er robuste Leistung in einem kompakten Gehäuse. Der Transistor ist für eine Verlustleistung von bis zu 200 mW ausgelegt und gewährleistet Zuverlässigkeit unter unterschiedlichen Betriebsbedingungen.
Merkmale:
Aufbau einer epitaktischen planaren Matrize.
Ideal für die Verstärkung und Schaltung mit geringer Leistung.
Ultrakleines Gehäuse zur Oberflächenmontage.
Auch in bleifreier Version erhältlich.
Anwendungen:
Allgemeines Schalten und Verstärken
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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