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MMDT3906 PNP バイポーラトランジスタ SOT-363
MMDT3906 は、さまざまな電子アプリケーションで効率的なスイッチングと増幅を実現するよう設計された高性能のダブル PNP バイポーラ接合トランジスタです。コレクタ エミッタ間電圧定格 (Vceo) が 40V、最大コレクタ電流 (Ic) が 200mA で、コンパクトなパッケージで堅牢なパフォーマンスを提供します。このトランジスタは最大 200mW の電力消費に対応できるように設計されており、さまざまな動作条件下で信頼性を確保します。
当社の利点：
中国の製造プロセスは何年にもわたって反復され、その結果、成熟した信頼性の高い技術が生まれました。多くの国際企業は中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% において主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、高い品質の一貫性、リーズナブルな価格、豊富な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、そして専門的なアフターサービスを誇ります。
説明:
MMDT3906 は、さまざまな電子アプリケーションで効率的なスイッチングと増幅を実現するよう設計された高性能のダブル PNP バイポーラ接合トランジスタです。コレクタ エミッタ間電圧定格 (Vceo) が 40V、最大コレクタ電流 (Ic) が 200mA で、コンパクトなパッケージで堅牢なパフォーマンスを提供します。このトランジスタは最大 200mW の電力消費に対応できるように設計されており、さまざまな動作条件下で信頼性を確保します。
機能と特徴：
エピタキシャルプレーナダイ構造。
低電力増幅およびスイッチングに最適です。
超小型の表面実装パッケージ。
鉛フリーバージョンもございます。
用途：
一般的なスイッチングと増幅
名前
Title
詳細説明
データシート
サポート
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
13001 NPN バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N2222A NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N3904 NPN BJT トランジスタ TO-92
ブランド: slkor，
2N3906 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N5401 PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2SA1037-R PNP バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor，
2SA1162-Y PNP バイポーラ トランジスタ
ブランド: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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