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Transistor bipolar 2SB1197KR PNP
Transistor bipolar 2SB1197KR PNP
Descripción general del producto
El 2SB1197KR es un transistor bipolar PNP fabricado por Slkor, adecuado para diversas aplicaciones de baja potencia. Presenta una tensión de ruptura colector-emisor moderada, bajo consumo de energía y alta ganancia de corriente continua. Se presenta en un encapsulado SOT-23 y está diseñado para montaje superficial.
Caracteristicas claves
Tipo de transistor: PNP – Diseño de transistor de unión bipolar tipo PNP. Voltaje de ruptura colector-emisor (Vceo): 32 V – Ofrece un voltaje de ruptura colector-emisor moderado. Corriente de colector (Ic): 800 mA – Ofrece una capacidad de manejo de potencia moderada. Disipación de potencia (PT): 200 mW – Optimizado para aplicaciones de baja potencia. Corriente de corte del colector (Icbo): 0.5 μA – Presenta una corriente de corte baja. Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.4 V @ 500 mA, 50 mA – Diseño de bajo voltaje de saturación. Ganancia de corriente continua (hFE@Ic,Vce): 390 @ 100 mA, 3 V – Proporciona una alta ganancia de corriente continua. Frecuencia de transición (fT): 150 MHz – Adecuado para aplicaciones generales de baja frecuencia. Temperatura de funcionamiento: -55 ℃ ~ +150 ℃ – Adaptable a un amplio rango de temperaturas. Encapsulado: SOT-23 – Para aplicaciones de montaje en superficie.
Los campos de aplicación
- Dispositivos electrónicos de baja potencia - Amplificadores y circuitos amplificadores - Controladores láser - Controladores LED - Electrónica automotriz
Ventajas de rendimiento
- Voltaje de ruptura moderado: El voltaje de ruptura de 32 V admite aplicaciones de voltaje medio y bajo. - Capacidad de manejo de potencia moderada: La corriente de colector de 800 mA se ajusta a escenarios de aplicaciones de baja potencia. - Bajo consumo de energía: Disipación de potencia de 200 mW para aplicaciones de baja potencia. - Baja corriente de corte: La corriente de corte de 0.5 μA ayuda a reducir el consumo de energía. - Diseño de bajo voltaje de saturación: El voltaje de saturación de 0.4 V contribuye a una menor pérdida de potencia. - Alta ganancia de corriente continua: Ganancia de corriente continua de 390, muy adecuada para circuitos amplificadores.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marcas: slkor，
2SC3585 R45
Marcas: slkor，
2SC4228 R45
Marcas: slkor，
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222A
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor PXT8050 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-2 4226SC24 R323 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-3946 MMDT363 BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor SOT-817 BC40-323W NPN BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 700mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 50mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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